[发明专利]一种自对准微沟槽结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202311076189.8 | 申请日： | 2023-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN116845098A | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 马克强;王思亮;杨柯;李睿;刘粮恺;胡敏;向奕 | 申请（专利权）人： | 成都森未科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京之于行知识产权代理有限公司 11767 | 代理人： | 罗延红 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种自对准微沟槽结构及其制备方法，微沟槽结构包括：具有相对的第一表面和第二表面的衬底，布置于衬底的第一表面的第一半导体；若干开设于第一半导体和衬底的栅极沟槽；覆盖栅极沟槽内表面的第一绝缘介质层以及布置在栅极沟槽内的第一导电层，与第一导电层绝缘隔离的第二导电层，其中，布置在若干栅极沟槽内的第一导电层以并行方式排列布置，第二导电层和第一半导体通过设置在栅极沟槽之间并与第一半导体对齐布置的金属电极接触孔来实现连接。本申请的微沟槽结构及其制备方法用于解决微沟槽结构的自对准及对准调整问题，适用于微沟槽栅IGBT，可通过自对准工艺和硬质掩膜工艺来制备自对准的微沟槽结构并提升器件的可制造性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 沟槽 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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