[发明专利]一种碳化硅U槽VDMOSFET结构在审
| 申请号： | 202311086677.7 | 申请日： | 2023-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN116936607A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 许一力 | 申请（专利权）人： | 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种碳化硅U槽VDMOSFET结构，包括至少两个相邻并联的U槽VDMOSFET元胞，其特征在于，所述U槽VDMOSFET元胞内刻蚀有一U槽，所述U槽VDMOSFET元胞包括碳化硅外延(D极)、离子刻蚀在所述碳化硅外延(D极)表面的Pwell区以及离子刻蚀在所述Pwell区表面的N‑SOURCE区，所述U槽开口向上并贯穿所述N‑SOURCE区，U槽两侧壁平行或非平行或不规则曲线状，所述U槽内淀积有S极金属，使得S极金属依然能够与N‑SOURCE区及Pwell区同时形成欧姆接触，从而实现相较于传统VDMOSFET，U槽VDMOSFET结构具有同V槽VDMOSFEET相同的尺寸优势。相较于V槽VDMOSFET，U槽VDMOSFEET结构能够极大限度的避免V槽可能产生的电场集中效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 vdmosfet 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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