[发明专利]磁阻效应元件在审
| 申请号： | 202311130097.3 | 申请日： | 2020-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN116940215A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 中田胜之 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/85 | 分类号： | H10N50/85;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，上述金属化合物包含功能材料和构成上述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，上述功能材料比上述X原子、上述Y原子和上述Z原子中的任一原子的原子序数都小。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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