[发明专利]包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊在审
申请号: | 202311175944.8 | 申请日: | 2023-09-13 |
公开(公告)号: | CN116936671A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 冯林;王涛;赵嘉伟;张鹏 | 申请(专利权)人: | 微纳动力(北京)科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/08;G21K1/00 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 徐立新 |
地址: | 100000 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及光电镊器件领域,更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊,包括器件,器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层,上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层;优选的,所述的上电极和下电极之间施加交流电压;受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层;输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层;本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流;这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层,这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率,这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。 | ||
搜索关键词: | 包含 pn 输出 三极管 光敏 器件 及其 构成 光电 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的