[发明专利]组对结构的NOR闪存及其制作方法在审
| 申请号： | 202311195869.1 | 申请日： | 2023-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN116940120A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金波 | 申请（专利权）人： | 上海领耐半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/40 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 卢云芊 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种组对结构的NOR闪存及其制作方法。所述组对结构的NOR闪存的制作方法包括：提供基底，基底包括隔离结构以及由隔离结构限定出的有源区；在基底中形成多个字线沟槽，每个字线沟槽包括相互贯通的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽嵌设在有源区的基底中，第二沟槽嵌设在隔离结构中；在基底上形成多个电荷陷阱结构且在每个字线沟槽内形成字线，一个电荷陷阱结构共形地覆盖一个第一沟槽的内表面，字线至少覆盖第一沟槽内的部分电荷陷阱结构；以及在基底上方形成多条位线。如此，组对结构的NOR闪存的字线嵌设在基底中，可以缩小NOR闪存的存储单元的面积，提高NOR闪存的存储密度。所述组对结构的NOR闪存可以利用上述的制作方法制成。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 nor 闪存 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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