[实用新型]一种多层外延功率MOS半导体有效
| 申请号： | 202321330506.X | 申请日： | 2023-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN219873511U | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴岩;茅寅松 | 申请（专利权）人： | 上海安导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200000 上海市宝山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种多层外延功率MOS半导体，包括半导体结构和连接结构，所述连接结构由连接头和弹性防尘板组成，所述连接头的外侧开设有插接槽，所述插接槽内部的外侧安装有弹性防尘板，所述弹性防尘板上开设有若干个凹槽，所述插接槽的内部安装有若干个针端接线，能够通过连接头上的插接槽将连接头与其他设备相连接，当连接头与其他设备连接在一起时，弹性防尘板会被向插接槽的内部下去，从而使针端接线从弹性防尘板上的凹槽中凸出，与其他设备进行数据连接，当连接头从其他设备上拔出后，弹性防尘板会重新弹回原位，从而防止灰尘进入插接槽的内部影响针端接线，本装置结构简单，使用方便且实用性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 外延 功率 mos 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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