[发明专利]阵列基板的制作方法及阵列基板在审
| 申请号： | 202380009342.7 | 申请日： | 2023-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN116941028A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 钟德镇;张原豪;陶园 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极，覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一透明导电层和负性光阻层，对负性光阻层进行背面光刻处理，再对第一透明导电层进行第一次蚀刻；在第一绝缘层上依次形成半导体层和正性光阻层，对正性光阻层进行背面光刻处理，再对半导体层进行蚀刻；在第一透明导电层和半导体层上依次形成第二金属层和光阻层，采用半色调掩膜版对光阻层进行正面光刻处理，先对第二金属层进行第一次蚀刻以及对第一透明导电层进行第二次蚀刻，除去半光阻图案层后，再对第二金属层进行第二次蚀刻。从而可以减少掩膜版的数量，简化制作工艺，降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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