[发明专利]钽电容器浸渍方法无效
| 申请号： | 96104220.6 | 申请日： | 1996-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1135086A | 公开（公告）日： | 1996-11-06 |
| 发明（设计）人： | R·S·哈恩;B·J·米劳迪;J·D·何雷;J·皮博;S·J·博里;苏宗元;J·T·凯纳德 | 申请（专利权）人： | 克米特电子公司 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G13/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明，通过采用可以在一个炉内有效地处理所有阳极的炉子气氛，提供了具有高导电率的二氧化锰涂层和具有低ESR值的钽阳极固体电容器。本发明的二氧化锰涂层，是通过在硝酸锰热解过程中向炉子气氛中提供一种或多种比二氧化氮活性强的氧化剂而在高度氧化条件下形成的。氧化剂包括硝酸、过氧化氢、臭氧以及它们的混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 钽电容 浸渍 方法 | ||
【主权项】：
1、在电子管金属电容器阳极上形成二氧化锰涂层的方法，包括：将该电子管金属电容器阳极浸透硝酸锰；将上述经过涂覆的阳极放入一个炉子内；向该炉内喷射蒸汽；向该炉内喷射氧化性比二氧化氮强的氧化剂；将炉子加热至足以使硝酸锰热解成为二氧化锰的温度。
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