外延晶片的缺陷检查方法

专利号：CN202111507360.7

公布日：2022-06-14

申请人：胜高股份有限公司

一种位错缺陷分析方法

专利号：CN202011007004.4

公布日：2020-12-11

申请人：广东省科学院半导体研究所

碳化硅外延基板和制造碳化硅半导体器件的方法

专利号：CN201880003964.8

公布日：2020-02-21

申请人：住友电气工业株式会社

硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法

专利号：CN201110375564.X

公布日：2012-04-04

申请人：河北普兴电子科技股份有限公司

硅基芯片位错缺陷的快速统计监控方法

专利号：CN201310003746.3

公布日：2014-07-09

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法

专利号：CN202111267243.8

公布日：2022-02-25

申请人：安徽光智科技有限公司

一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法

专利号：CN201711214286.3

公布日：2018-06-15

申请人：中国工程物理研究院电子工程研究所

一种用于模拟核反应堆关键材料位错运动的并行求解方法

专利号：CN202010544898.4

公布日：2021-12-03

申请人：北京科技大学

一种区分碳化硅中贯穿螺型位错和贯穿刃型位错的方法

专利号：CN202310608691.2

公布日：2023-08-11

申请人：兰州大学

一种实现位错缺陷微区光电性能测评的方法

专利号：CN202010038547.6

公布日：2020-06-02

申请人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

一种金属材料缺陷密度的测量方法

专利号：CN202211233191.7

公布日：2023-01-03

申请人：吉林大学

一种分析铸造多晶硅微观结构的方法

专利号：CN201910960476.2

公布日：2020-02-28

申请人：新余学院

氮化物半导体基板及其制造方法

专利号：CN200610087778.6

公布日：2006-12-13

申请人：住友电气工业株式会社

单晶高温合金的组织和缺陷的模拟方法

专利号：CN201910283514.5

公布日：2019-10-25

申请人：西北工业大学

一种蓝宝石晶片c面生长位错密度的检测方法

专利号：CN202011456880.5

公布日：2021-03-16

申请人：北方民族大学