高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法

专利号：CN200310119746.6

公布日：2005-06-08

申请人：中国科学院半导体研究所

半导体装置

专利号：CN201811210323.8

公布日：2021-09-24

申请人：株式会社电装

低调制电压的低温二极管结构

专利号：CN201980082254.3

公布日：2022-11-15

申请人：HRL实验室有限责任公司

砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法

专利号：CN200610171666.9

公布日：2008-07-02

申请人：中国科学院半导体研究所

一种互补势垒CBIRD结构的长波红外探测器

专利号：CN202211303364.8

公布日：2023-01-31

申请人：电子科技大学

半导体装置、半导体模块和电子设备

专利号：CN202180036490.9

公布日：2023-01-31

申请人：索尼半导体解决方案公司

有机EL显示装置及其制造方法

专利号：CN201880091300.1

公布日：2020-11-03

申请人：堺显示器制品株式会社

磁阻随机存取存储器件及其制造方法

专利号：CN201811213731.9

公布日：2019-05-03

申请人：三星电子株式会社

三维存储器元件及其形成方法

专利号：CN202210120237.8

公布日：2023-08-08

申请人：旺宏电子股份有限公司

一种具有高势垒插入层的晶体管器件

专利号：CN201820692558.4

公布日：2018-11-06

申请人：广东省半导体产业技术研究院

一种沟槽二极管势垒层制备方法

专利号：CN202111402557.4

公布日：2022-03-01

申请人：扬州国宇电子有限公司

形成具有势垒层中的金属接触的晶体管的方法

专利号：CN201480031743.3

公布日：2018-10-16

申请人：德克萨斯仪器股份有限公司

复合钝化的GaN基HEMT器件及其制作方法

专利号：CN202310127083.X

公布日：2023-05-23

申请人：湖南三安半导体有限责任公司

外延结构及半导体器件

专利号：CN202210206690.0

公布日：2023-07-07

申请人：上海陆芯电子科技有限公司

一种高电子迁移率晶体管及其制备方法

专利号：CN202011553201.6

公布日：2023-03-14

申请人：深圳市红与蓝企业管理中心（有限合伙）