包括磁性随机存取存储器的半导体装置

专利号：CN201810523369.9

公布日：2019-05-17

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的方法和电路

专利号：CN201910759607.0

公布日：2022-03-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

穿隧式磁阻的感测装置及其感测方法

专利号：CN201410468587.9

公布日：2017-09-19

申请人：瑞昱半导体股份有限公司

利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法

专利号：CN201910082292.0

公布日：2020-10-02

申请人：东芯半导体股份有限公司

在同一芯片上组合NVM类别和SRAM类别MRAM元件的方法

专利号：CN201880081072.X

公布日：2022-01-28

申请人：芯成半导体(开曼)有限公司

磁性随机存取存储器

专利号：CN201510505026.6

公布日：2019-01-18

申请人：英特尔移动通信有限责任公司

磁阻式随机存取存储器结构及其制作方法

专利号：CN202010776346.6

公布日：2022-02-18

申请人：联华电子股份有限公司

磁性检测电路

专利号：CN201810661617.6

公布日：2019-05-14

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

静态随机存取存储器阵列以及存储器器件

专利号：CN202110680621.9

公布日：2021-10-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

电阻式随机存取存储器单元

专利号：CN201780075505.6

公布日：2021-04-30

申请人：美高森美SOC公司

一种利用非易失性元器件的电阻特性实现片上信号延时的电路

专利号：CN201410341515.8

公布日：2014-11-05

申请人：北京航空航天大学

用于嵌入式FLASH应用的STT-MRAM位格

专利号：CN201610237894.5

公布日：2018-12-21

申请人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司

存储器装置及存储器模块

专利号：CN201810620354.4

公布日：2019-02-26

申请人：三星电子株式会社

磁阻式随机存取存储器及其操作方法

专利号：CN202010842743.9

公布日：2022-01-14

申请人：珠海南北极科技有限公司

静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法

专利号：CN201610623938.8

公布日：2020-09-08

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司