一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法

专利号：CN202010645103.9

公布日：2021-10-19

申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

单晶薄膜键合体及其制造方法

专利号：CN201510891747.5

公布日：2016-03-23

申请人：济南晶正电子科技有限公司

复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法

专利号：CN201510520492.1

公布日：2016-02-10

申请人：济南晶正电子科技有限公司

一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法

专利号：CN201010598266.2

公布日：2011-06-08

申请人：哈尔滨工业大学

一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用

专利号：CN201911081884.7

公布日：2022-10-14

申请人：上海新硅聚合半导体有限公司

钽酸锂单晶基板的制造方法

专利号：CN202111121680.9

公布日：2022-04-12

申请人：信越化学工业株式会社

生长Φ5英寸钽酸锂单晶的方法

专利号：CN200510097351.X

公布日：2006-08-16

申请人：国内贸易部物资再生利用研究所

富铌掺锂钽铌酸钾单晶及其制备方法

专利号：CN201310636441.6

公布日：2014-02-26

申请人：哈尔滨工业大学

嵌入式铌酸锂或钽酸锂单晶芯光纤的制备方法及单晶芯光纤

专利号：CN201710258268.9

公布日：2020-06-16

申请人：哈尔滨工程大学

一种微米级硅基底上的钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜及其制备方法

专利号：CN201611192111.2

公布日：2019-04-16

申请人：济南晶正电子科技有限公司

一种钽酸锂单晶生长设备

专利号：CN202211155072.4

公布日：2023-01-03

申请人：大庆溢泰半导体材料有限公司

一种高频高性能声表面波器件及其制备方法

专利号：CN201810288040.9

公布日：2018-09-04

申请人：清华大学;无锡市好达电子有限公司

正交相锂钽掺杂铌酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法

专利号：CN201210131057.6

公布日：2012-08-08

申请人：哈尔滨工业大学

一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法

专利号：CN202111352850.4

公布日：2022-02-18

申请人：济南晶正电子科技有限公司

弹性表面波元件用基板及其制造方法

专利号：CN201780002895.4

公布日：2022-02-15

申请人：株式会社山寿瑟拉密克斯