[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202010645103.9 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN111883646B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;鄢有泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L41/253 | 分类号： | H01L41/253;H01L41/08 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基钽酸锂 压电 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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