折叠沟道氮化镓基场效应晶体管及其制备方法

专利号：CN202310431333.9

公布日：2023-06-27

申请人：中国科学院微电子研究所

硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用

专利号：CN201810798048.X

公布日：2019-12-03

申请人：南方科技大学

锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用

专利号：CN202110274722.6

公布日：2023-07-21

申请人：中国科学院物理研究所

基于异质结薄膜的远程电气火灾监测系统及其制备方法

专利号：CN201710636334.1

公布日：2020-01-03

申请人：王旭兰

氮化镓半导体器件及氮化镓半导体器件的制备方法

专利号：CN202310202099.2

公布日：2023-06-27

申请人：天狼芯半导体（成都）有限公司

一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法

专利号：CN202211246453.3

公布日：2023-04-04

申请人：厦门大学

一种纵向型氮化镓基异质结半导体器件及其制造方法

专利号：CN201610088517.X

公布日：2019-09-03

申请人：香港商莫斯飞特半导体有限公司

具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管

专利号：CN201410454183.4

公布日：2014-12-24

申请人：电子科技大学

砷化镓双极结型高电子迁移率晶体管及其制作方法

专利号：CN202210311792.9

公布日：2022-08-05

申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

一种改善型三结砷化镓太阳电池及其制作方法

专利号：CN202111243885.4

公布日：2022-03-08

申请人：南昌凯迅光电股份有限公司

基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法

专利号：CN202210279033.9

公布日：2022-07-12

申请人：复旦大学

ZnGa₂O₄-Ga₂O₃异质结光催化材料及其制备方法和应用

专利号：CN201210586013.2

公布日：2014-07-02

申请人：索尼公司;南京大学

一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法

专利号：CN202111301490.5

公布日：2022-08-26

申请人：中国科学院微电子研究所

一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法

专利号：CN202311043123.9

公布日：2023-10-24

申请人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法

专利号：CN202010554890.6

公布日：2023-10-24

申请人：华南师范大学