[发明专利]一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010554890.6 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111799378B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 谷怀民;许文竹 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H10K30/10 | 分类号： | H10K30/10;H10K30/60;H10K71/16;H10K71/60;H10K71/10;H01L31/109;H01L31/18;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙) 44446 | 代理人： | 郑永泉 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素基二维材料层、第二金属电极；所述的钙钛矿层与氮化镓薄膜形成异质结，所述的卤素基二维材料层与氮化镓薄膜也形成异质结；本发明提供一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，通过构建钙钛矿/GaN/PbI |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 材料 氮化 薄膜 双异质结 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
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