纳米线

专利号：CN201810717044.4

公布日：2019-10-29

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

大尺寸纳米结构材料以及用于通过烧结纳米线来制作它的方法

专利号：CN201380062751.X

公布日：2015-08-05

申请人：阿尔法贝特能源公司

电极结构和用于制造电极的方法

专利号：CN201280047780.4

公布日：2014-05-28

申请人：LG伊诺特有限公司

大面积纳米启动宏电子衬底及其用途

专利号：CN03825485.9

公布日：2006-03-08

申请人：纳米系统公司

一种柔性电致变色薄膜及制备方法、电致变色器件

专利号：CN201610052580.8

公布日：2019-06-11

申请人：中国科学技术大学

一种纳米线气体传感器及其制造方法

专利号：CN201910942212.4

公布日：2019-12-27

申请人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院

一种纳米线气体传感器及电子鼻系统

专利号：CN201921663061.0

公布日：2020-09-22

申请人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院

一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料及其制备方法

专利号：CN202110441453.8

公布日：2022-09-13

申请人：重庆交通大学绿色航空技术研究院

半导体装置的制造方法

专利号：CN201810744372.3

公布日：2019-06-07

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

半导体元件及其制造方法

专利号：CN201710811002.2

公布日：2022-05-24

申请人：联华电子股份有限公司

一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器

专利号：CN201610578034.8

公布日：2017-12-19

申请人：天津大学

一种纳米线的处理方法及纳米线

专利号：CN202010016795.0

公布日：2020-06-02

申请人：苏州星烁纳米科技有限公司

具有纳米线的半导体结构

专利号：CN202010589907.1

公布日：2023-09-19

申请人：联华电子股份有限公司

纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法

专利号：CN201210513894.5

公布日：2014-06-11

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

具有应变双纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构

专利号：CN202011505259.3

公布日：2021-12-28

申请人：英特尔公司