本发明涉及掩模板技术领域,特别是涉及一种掩模板图案的测量方法。
1),将掩模板上图案化部分划分为各个小区域,各个小区域构成矩阵形式,在行与列方
向上的相邻的小区域之间形成若干个掩膜标记a、b;
3),根据上述标记a、b的测量结果而判定掩模板热膨胀形式,进而调整控制器对上述掩
模板上的图案进行修正以使得后续晶片上外延工艺各层之间的对准精度更高。
1),利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化,进而实现达到精确检测掩模板上
图案的变化的效果,检测方法简单有效;
2), 掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬
底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记,从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探
测,具有很大的实用价值和推广价值。
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