[发明专利]修正光刻胶图形误差的方法

说明书

技术领域

本发明涉及修正光刻胶图形误差的方法。

背景技术

目前，随着超大规模集成电路的发展，电路设计尺寸越来越小，特别是到了65nm以下的工艺时，电路的关键尺寸(CD，Critical Dimension)的变化对于器件性能的影响也越来越大，例如电路的关键尺寸变化会直接导致器件运行速度的变化。

由于受到曝光机台(optical exposure tool)的分辨率极限(resolution limit)的影响，在对这些光罩上的电路图形进行曝光工艺以进行图形转移时，便很容易产生光学临近效应(OPE，optical proximity effect)。美国专利US6042973揭露于光罩表面的多个集成电路图形边缘分别形成近似圆形的次解析栅栏(sub-resolution grating)，因此当该电路图形转移至晶圆时，该电路图形边缘的分辨率可以提高，然而该次解析栅栏并无法避免该电路图形转移时发生光学临近效应。因此，为了避免上述光学临近效应造成光罩图形转移失真，而无法将电路图形正确地转移至晶圆上，现行的半导体工艺均是先利用计算机系统来对该电路图形进行光学临近修正(OPC，optical proximity correction)，以消除光学临近效应，然后再依据修正过的电路图形制作光罩图形，形成于光罩上。因此，光学临近修正的基本原理就是对于电路图形进行预先的修改，使得修改的量正好能够补偿光学临近效应造成的缺陷，从而经过光学临近修正而形成的光罩图形转移到晶圆上后，就能达到曝光工艺的要求。

而由于电路的不同，相应的电路图形由于栅距(pitch)不同而会出现密集型(dense)和稀疏型(iso)两种图形分布情况。参照图1所示，所述密集型图形，即指图形10和图形10′的分布情况，其栅距较小，而所述稀疏型图形，即指图形11和图形11′的分布情况，其栅距较大。因此，虽然经过了光学临近修正，在进行曝光工艺后，分别位于密集型和稀疏型分布的相同电路图形，其所形成的光刻胶图形也会由于密集型和稀疏型栅距的不同而出现明显的尺寸差异，例如，可能对于密集型分布来说，其曝光工艺后形成的光刻胶图形的尺寸要大于稀疏型分布的光刻胶图形的尺寸。因此，在蚀刻后还会采用跨栅距蚀刻偏差(through-pitch etch bias)指标来对不同图形分布情况的变化差异来进行质量控制。而很多情况下，经过光学临近修正的电路图形会因为图形分布情况的不同，而使得在蚀刻工艺后形成的器件超出跨栅距蚀刻偏差的范围，因而影响整个光刻工艺的精度。

发明内容

本发明提供一种修正光刻胶图形误差的方法，解决现有技术由于密集型分布和稀疏型分布的栅距不同而造成的光刻胶图形变化差异的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种修正光刻胶图形误差的方法，包括下列步骤：

根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸，依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形；

检测所述光刻胶图形，若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围，则重复上述步骤，

其中，所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反。

所述第一光刻胶修剪步骤包括：采用稀疏型分布光刻胶图形蚀刻速率快于密集型分布光刻胶图形蚀刻速率的蚀刻气体。所述蚀刻气体包括氯气和氧气的混合气体或者氯化氢和氧气的混合气体。

所述第二光刻胶修剪步骤包括：采用密集型分布光刻胶图形蚀刻速率快于稀疏型分布光刻胶图形蚀刻速率的蚀刻气体。所述蚀刻气体包括溴化氢和氧气的混合气体。

与现有技术相比，上述所公开的修正光刻胶图形误差的方法具有以下优点：通过依次采用两步对于密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形蚀刻速率不同，且效果相反的光刻胶修剪步骤，减小了密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的尺寸差异，从而保证蚀刻后的器件能够满足跨栅距蚀刻偏差的要求，提高了光刻工艺的精度。

附图说明

图1是密集型分布图形和稀疏型分布图形的栅距示意图；

图2是本发明修正光刻胶图形误差的方法的一种实施方式流程图。

具体实施方式