[发明专利]一种激光切割硅晶圆的方法及激光切割装置

权利要求书

1.一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，具体步骤如下：

将硅晶圆片的下表面粘贴到蓝膜上方；

将所述硅晶圆片的上表面涂覆光刻胶涂覆层；

通过双光点激光装置发出激光光束，并在所述硅晶圆片上表面聚焦为两个聚焦光点，用以切割硅晶圆，将硅晶圆片切割为多个晶粒；

去除硅晶圆片上表面的光刻胶涂覆层；

通过扩张蓝膜将所述多个晶粒分离。

2.根据权利要求1所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，激光为绿光激光，波长为532nm，偏振态为线偏振态；

激光为脉冲激光，脉冲宽度为0.5～500ps，频率为50～1000kHz，单个聚焦光点的能量为10～100μJ。

3.根据权利要求1或2所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，硅晶圆片的损伤阈值为P0，单个聚焦光点的功率略高于P0。

4.根据权利要求3所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，一个聚焦光点于硅晶圆片上两次打点的距离为d，且两个聚焦光点的点间距为d，则有2×d＝2×v/f；

其中，2×v为硅晶圆片与聚焦光点的相对移动速度，f为激光脉冲的频率。

5.根据权利要求4所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，两个聚焦光点之间的连线方向与激光切割硅晶圆片的方向一致。

6.根据权利要求4或5所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，还包括

通过调整硅晶圆片与聚焦光点的相对移动速度v与为激光脉冲的频率f提高激光切割速度。

7.根据权利要求1、2、4或5所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，硅晶圆片上设有预定切割划线，激光通过沿所述预定切割划线进行切割，将所述硅晶圆片切割为多个晶粒，激光的切割深度等于或小于硅晶圆片的厚度。

8.根据权利要求1所述的一种激光切割硅晶圆的方法，其特征在于，光刻胶涂覆层为水溶性光刻胶层。

9.一种硅晶圆表面的激光切割装置，其特征在于，包括，

激光器，用于发射激光；

扩束镜，用于改变光斑直径及发散角；

半波片，用于调节偏振方向不同的两束激光的能量比例；

第一偏振分光晶体，用于将偏振方向不同的两束激光分离；

第一45°反射镜，用于反射其中一束激光；

第二45°反射镜，用于反射另一束激光；

第二偏振分光晶体，用于汇聚偏振方向不同的两束激光，且两束激光之间具有间隔；

聚焦透镜，用于将两束激光聚焦到硅晶圆片上表面；

平移载台，用于承载硅晶圆片，使得硅晶圆片能够沿X轴和Y轴方向平移，该X轴和Y轴垂直于聚焦前的两束激光。

10.根据权利要求9所述的一种硅晶圆表面的激光切割装置，其特征在于，还包括，胶水滴涂装置；

所述胶水滴涂装置包括，旋转载台和胶水储存容器，所述胶水储存容器位于旋转载台的上方。