[发明专利]用于长期存储信息的方法和用于长期存储信息的存储介质有效
申请号: | 201980099193.1 | 申请日: | 2019-08-14 |
公开(公告)号: | CN114207719B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 马丁·昆泽;克里斯蒂安·弗劳姆 | 申请(专利权)人: | 陶瓷数据解决方案有限公司 |
主分类号: | G11B7/0045 | 分类号: | G11B7/0045;G11B7/253 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 长期 存储 信息 方法 介质 | ||
1.一种用于长期存储信息的方法,所述方法包括以下步骤:
提供陶瓷基板(150);
用第二材料(170)的层涂覆所述陶瓷基板(150),所述第二材料与所述陶瓷基板(150)的材料不同,所述层具有不大于10μm的厚度;
对所述涂覆的陶瓷基板进行回火以强化所述陶瓷基板与所述第二材料的层之间的结合从而形成可写入板(110);
通过使用激光和/或聚焦的粒子束来操纵所述可写入板(110)的局部区域,以将信息编码(120)在所述可写入板(110)上。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述陶瓷基板(150)包括氧化陶瓷或非氧化陶瓷。
3.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述陶瓷基板(150)包括陶瓷材料和金属,所述金属包括以下项中的一个或组合:Ni、Cr、Co、Fe、W、Mo。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述陶瓷材料和所述金属形成金属基质复合物。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述第二材料包括以下项中的至少一个:金属或陶瓷材料。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中操纵所述可写入板(110)的所述局部区域包括以下步骤:对所述局部区域进行加热、分解、氧化、烧蚀、和/或蒸发;和/或操纵所述可写入板(110)的所述局部区域使得至少部分地从所述可写入板(110)的所述局部区域移除所述第二材料的所述层。
7.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中对所述涂覆的陶瓷基板进行回火在所述陶瓷基板(150)与所述第二材料(170)的所述层之间产生烧结的界面。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法,其中对所述涂覆的陶瓷基板进行回火至少使得所述第二材料(170)的所述层的最顶子层氧化,以及其中操纵所述可写入板(110)的所述局部区域使得至少部分地从所述可写入板(110)的所述局部区域移除所述氧化的子层。
9.一种用于长期存储信息的信息存储介质(100),所述信息存储介质(100)包括可写入板(110),所述可写入板(110)包括涂有第二材料(170)的层的陶瓷基板(150)以及所述陶瓷基板(150)与所述第二材料(170)的所述层之间的烧结的界面,其中所述第二材料与所述陶瓷基板(150)的材料不同,其中所述烧结的界面包括来自所述基板材料和所述第二材料的至少一种元素,并且其中所述第二材料的所述层具有不大于10μm的厚度。
10.如权利要求9所述的信息存储介质,其中所述陶瓷基板(150)包括至少90重量百分比的以下项中的一个或组合:Al2O3、TiO2、SiO2、ZrO2、ThO2、MgO、Cr2O3、Zr2O3、V2O3。
11.如权利要求9所述的信息存储介质,其中所述陶瓷基板(150)包括至少90重量百分比的以下项中的一个或组合:金属氮化物;金属碳化物;金属硼化物;和金属硅化物。
12.如权利要求9-11中任一项所述的信息存储介质,其中所述第二材料包括以下项中的至少一个:金属或陶瓷材料。
13.如权利要求9-12中任一项所述的信息存储介质,进一步包括:氧化物层,在所述第二材料(170)的所述层的顶部上,其中所述氧化物层包括所述第二材料的一种或多种氧化物。
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