[发明专利]一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺

说明书

本发明属于薄膜晶体管加工技术领域，提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺。该电子级TFT光阻剥离液的制备工艺包括将剥离液的原料混合后过滤即得；原料包括：有机胺、二甲基亚砜、二乙二醇单丁醚、N‑甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、四甲基氢氧化铵以及羟胺。由该制备工艺制备得到的光阻剥离液质量稳定，对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留。

技术领域

本发明属于薄膜晶体管加工技术领域，具体地说，涉及一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉淀各种不同的薄膜，如半导体主动层、介质层和金属电极层。薄膜晶体管是液晶显示器的关键器材，对显示器的工作性能具有十分重要的作用。

在TFT的制造过程中需要在其表面形成导电性金属膜或SiO2膜等绝缘膜，再在膜上均匀涂布光刻胶，将其进行选择性的曝光、显象处理，形成光刻胶图案，以该图案为掩模，选择性地蚀刻导电性金属膜或绝缘膜，形成微细回路，之后用剥离液除去不需要的光刻胶层。在除去该不需要的光刻胶层时，需要使用到剥离液。

可见剥离液的选择和使用会直接影响到TFT的性能。现有技术中的剥离液常由于质量不稳定，容易导致剥离效果差，从而会导致不能完全除去产生的各种残渣物，造成TFT制造的合格率下降。

发明内容

针对现有技术中上述的不足，本发明的目的在于提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，由该制备工艺制备得到的光阻剥离液质量稳定，对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留。

为了达到上述目的，本发明采用的解决方案是：

一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，包括：将剥离液的原料混合后过滤即得；原料按重量份数计包括：有机胺4000-6000份、二甲基亚砜600-800份、二乙二醇单丁醚6400-6600份、N-甲基吡咯烷酮3300-3400份、二甲基乙酰胺3900-4100份、四甲基氢氧化铵190-210份以及羟胺240-260份。

本发明提供的一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺的有益效果是：

本发明提供的该种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，通过上述各原料之间的互配制得的光阻剥离液，通过采用上述各原料以及采用各原料之间的配比，能够使得制备得到的光阻剥离液的质量更加稳定，对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

下面对本发明实施例提供的一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺进行具体说明。

本发明提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，包括：将剥离液的原料混合后过滤即得。

具体地，原料按重量份数计包括：有机胺4000-6000份、二甲基亚砜600-800份、二乙二醇单丁醚6400-6600份、N-甲基吡咯烷酮3300-3400份、二甲基乙酰胺3900-4100份、四甲基氢氧化铵190-210份以及羟胺240-260份。更进一步地，按重量份数计，所述有机胺为4900-5900份、二甲基亚砜690-790份、二乙二醇单丁醚6490-6590份、N-甲基吡咯烷酮3310-3390份、二甲基乙酰胺3990-4090份、四甲基氢氧化铵195-205份以及羟胺249-259份。更进一步地，有机胺为5000.5份、二甲基亚砜700.07份、二乙二醇单丁醚6500.65份、N-甲基吡咯烷酮3350.34份、二甲基乙酰胺4000.4份、四甲基氢氧化铵200.02份以及羟胺250.03份。