[发明专利]微电子装置及相关存储器装置、电子系统及方法

权利要求书

1.一种形成微电子装置的方法，其包括：

形成存储器阵列区域，所述存储器阵列区域包括垂直位于基底结构之上的存储器单元，所述基底结构包括半导电材料及垂直延伸到所述半导电材料中的对准标记结构；

形成垂直延伸穿过所述存储器阵列区域且到所述基底结构的所述对准标记结构中的第一接触结构；

在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构；

在所述存储器阵列区域之上形成所述支撑结构之后移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构；及

形成垂直邻近所述基底结构的剩余部分的控制逻辑区域，所述控制逻辑区域包括通过部分垂直延伸穿过所述对准标记结构且接触所述第一接触结构的第二接触结构与所述第一接触结构电连通的控制逻辑装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过以下形成所述基底结构：

形成垂直延伸到所述半导电材料中的沟槽；及

用至少一种额外材料填充所述沟槽以形成所述对准标记结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一接触结构包括：

形成垂直延伸穿过所述存储器阵列区域且部分到所述基底结构的所述对准标记结构中的通孔；及

用导电材料填充所述通孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一接触结构包括：

在所述基底结构之上形成所述存储器阵列区域之前形成部分垂直延伸到所述基底结构的所述对准标记结构中的第一通孔；

用导电材料填充所述第一通孔；

形成垂直延伸穿过所述存储器阵列区域且暴露填充所述第一通孔的所述导电材料的第二通孔；及

用额外导电材料填充所述第二通孔。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成存储器阵列区域包括形成进一步包括以下的所述存储器阵列区域：

源极结构；

堆叠结构，其在所述源极结构之上且包括布置成层级的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列；

单元支柱结构，其垂直延伸穿过堆叠结构且与所述源极结构电连通，所述单元支柱结构的部分及所述堆叠结构的所述导电结构形成所述存储器单元的垂直延伸串；及

导电布线层级，其上覆于所述堆叠结构且包括：

数字线结构，其与所述存储器单元的所述垂直延伸串电连通；及

布线结构，其与所述第一接触结构电连通。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括形成进一步包括以下的所述存储器阵列区域：

阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层级的水平端的台阶；及

第三接触结构，其从所述阶梯结构的至少一些所述台阶垂直延伸到所述导电布线层级的至少一些所述布线结构。

7.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括形成垂直延伸到所述基底结构的所述半导电材料中的所述存储器阵列区域的所述源极结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构包括在上覆于所述存储器阵列区域的所述存储器单元的所述存储器阵列区域的导电布线层级上方附接晶片结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述存储器阵列区域之上形成支撑结构包括在上覆于所述存储器阵列区域的所述存储器单元的所述存储器阵列区域的导电布线层级上方沉积绝缘材料及半导电材料中的一或多者。

10.根据权利要求1所述的方法，其中移除所述基底结构的一部分以暴露所述对准标记结构包括：

在所述存储器阵列区域之上形成所述支撑结构之后使所述基底结构、所述存储器阵列区域及所述支撑结构垂直反转；及

在使所述基底结构、所述存储器阵列区域及所述支撑结构垂直反转之后将所述基底结构的所述半导电材料向下移除到所述对准标记结构的垂直边界。