[发明专利]鼓泡装置、液态源鼓泡系统、方法及半导体工艺系统在审
申请号: | 202310524059.X | 申请日: | 2023-05-10 |
公开(公告)号: | CN116575014A | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 纪雪峰;陈亮;范威威 | 申请(专利权)人: | 上海良薇机电工程有限公司 |
主分类号: | C23C16/448 | 分类号: | C23C16/448;C23C16/52;H01L21/67 |
代理公司: | 上海领誉知识产权代理有限公司 31383 | 代理人: | 车超平 |
地址: | 201913 上海市崇明区长*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 液态 源鼓泡 系统 方法 半导体 工艺 | ||
本发明涉及一种鼓泡装置、液态源鼓泡系统、方法及半导体工艺系统,包括气体供应单元、液体供应单元、鼓泡单元、气体输出单元、吹扫单元和排气单元。其优点在于,利用氢气作为推进气体通入鼓泡单元内,增加液态源转化为气体的效率,提升供气效率。还通过鼓泡单元内的液位监测元件测量鼓泡元件内的液位,并设定液位值,并在浮球传感器检测到鼓泡元件内液位达到液态源鼓泡系统设定的液位值的情况下,液态源鼓泡系统控制液位供应单元关闭,保证鼓泡元件内液位符合鼓泡反应效率最高下的标准,保证鼓泡效率。此外,通过鼓泡单元内的温度检测元件和液位监测元件监测鼓泡元件内的液体的液位高度以及温度。
技术领域
本发明涉及半导体生产技术领域,尤其涉及一种鼓泡装置、液态源鼓泡系统、方法及半导体工艺系统。
背景技术
在半导体生产过程中,为获得高纯度的镀膜层或沉积物,生产工艺往往需要通过化学反应生产,参与化学反应的生产原料或掺杂原料大多以卤化物形式存在,而这些卤化物在常温下一般呈现为液体,且液体的卤化物通常具有腐蚀性、毒性或爆炸性,因此,基于工艺的需要,这些卤化物需要以一种合适的方式,安全的转换为气态。
然而,现有的卤化物转化形态的操作方式中,没有应用鼓泡系统,无法通过将精确计量的工艺气体或者惰性气体作为载气通入液态源内,形成含有液态源蒸汽的气泡,使得供气效率降低。
此外,由于液态源的输出量受载气的流量及携带效率影响,因此,载气气体流量与液态源的携带量二者之间的线性度,即携带效率决定了产品的品质高低。然而,现有技术中无法对鼓泡系统中液态源的液位进行控制,导致鼓泡反应效率降低;
还无法对鼓泡系统内液体温度进行监控,无法实现对鼓泡系统内液体温度的调节,导致鼓泡系统内液体温度不稳定,影响气泡生成效率、还影响气泡液体的携带效率。
目前针对相关技术中存在的鼓泡系统内液体温度不稳定、无法对鼓泡系统内的液位以及液体温度实时监控、气泡液体的携带效率不佳等问题,尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中的不足,提供一种鼓泡装置、液态源鼓泡系统、方法及半导体工艺系统,解决相关技术中存在的鼓泡系统内液体温度不稳定、无法对鼓泡系统内的液位以及液体温度实时监控、气泡液体的携带效率不佳等问题。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案是:
第一方面,本发明提供一种液态源鼓泡系统,包括:
气体供应单元,所述气体供应单元用于输入推进气体;
液体供应单元,所述液体供应单元用于输入液态源;
鼓泡单元,所述鼓泡单元分别与所述气体供应单元、所述液体供应单元连通,用于通过推进气体对液态源进行鼓泡;
气体输出单元,所述气体输出单元分别与所述鼓泡单元、工艺腔室连通,用于将经所述鼓泡单元进行鼓泡后的液态源气体传输至工艺腔室内;
吹扫单元,所述吹扫单元分别与所述气体供应单元、所述液体供应单元、所述气体输出单元连通,用于对所述气体供应单元与所述鼓泡单元之间连通的管路、所述液体供应单元与所述鼓泡单元之间连通的管路、所述鼓泡单元与所述气体输出单元之间的连通管路进行吹扫;
排气单元,所述排气单元分别与所述气体供应单元、所述液体供应单元、所述气体输出单元连通,用于对所述气体供应单元、所述液体供应单元、所述气体输出单元进行排空。
在其中的一些实施例中,所述气体供应单元包括:
第一气体供应元件,所述第一气体供应元件设置于所述鼓泡单元的上游,并与所述鼓泡单元连通,用于向所述鼓泡单元供应推进气体;
第一阀元件,所述第一阀元件设置于与所述第一气体供应元件连通的管路上,并位于所述第一气体供应元件与所述鼓泡单元之间;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的