[发明专利]薄膜形成装置和薄膜形成方法有效
申请号: | 200480014403.6 | 申请日: | 2004-05-31 |
公开(公告)号: | CN1795287A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 宋亦周;樱井武;村田尊则 | 申请(专利权)人: | 株式会社新柯隆 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C16/50;C23F4/00;H01L21/31 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的薄膜形成装置(1)具有:把反应性气体导入到真空容器(11)内的气体导入单元;以及在真空容器(11)内产生反应性气体的等离子体的等离子体发生单元(61)。等离子体发生单元(61)构成为具有电介质壁(63)和涡状天线(65a、65b)。天线(65a、65b)相对于高频电源(69)并联连接,在与天线(65a、65b)的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜形成装置,具有:真空容器、把反应性气体导入到该真空容器内的气体导入单元、以及在前述真空容器内产生前述反应性气体的等离子体的等离子体发生单元,其特征在于,前述等离子体发生单元构成为,具有:设置在前述真空容器的外壁上的电介质壁,涡状的第1天线和第2天线,以及用于使前述第1天线和前述第2天线与高频电源连接的导线;具有天线固定单元,将前述第1天线和前述第2天线固定在前述真空容器的外侧与前述电介质壁对应的位置上;前述第1天线和前述第2天线相对于前述高频电源并联连接,在与第1天线和前述第2天线的涡形成面的垂线相垂直的方向上以相邻的状态设置。
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