[发明专利]分层电阻可变存储装置和制造方法无效
| 申请号： | 200580018247.5 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1965418A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | K·A·坎贝尔;J·李;A·麦蒂尔;J·T·穆尔 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张亚宁;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及提供一种具有改进的数据保持和切换特性的电阻可变存储元件的方法和设备。按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(17，20)优选地具有GexSe100－x的成分。在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。 | ||
| 搜索关键词： | 分层 电阻 可变 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻可变存储元件，包含：第一电极；第一硫属化物玻璃层，电耦合至所述第一电极；第二硫属化物玻璃层，位于所述第一硫属化物玻璃层上面；含金属层，位于所述第一和第二硫属化物玻璃层之间；金属层，位于所述第二硫属化物玻璃层上面；导电粘合层，位于所述金属层上面；以及第二电极，电耦合至所述导电粘合层。
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