[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。在现有的半导体装置中，由于构成ISO的P型埋入层的横向扩散宽度扩展等，存在ISO的形成区域难以变窄这样的问题。在本发明的半导体装置中，在P型基板(6)上形成2层的EPI(7)、(8)。在基板(6)及EPI(7)、(8)中形成ISO(1)、(2)、(3)，划分为多个岛。ISO(1)连结L－ISO(9)、M－ISO(10)及U－ISO(11)而形成。在L－ISO(9)和U－ISO(11)之间配置M－ISO(10)，使L－ISO(9)的横向扩散宽度(W1)变窄。通过该结构，使ISO(1)的形成区域变窄。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具有：一导电型的半导体基板；在上述半导体基板上形成的逆导电型的第一外延层；在上述第一外延层上形成的逆导电型的第二外延层；和将上述第一及第二外延层划分为多个岛的一导电型的分离区域，连结一导电型的第一埋入扩散层、一导电型的第二埋入扩散层、一导电型的第一扩散层而形成上述分离区域，其中，上述第一埋入扩散层跨越上述半导体基板、上述第一外延层及第二外延层而形成，上述第二埋入扩散层形成于上述第二外延层，上述第一扩散层形成于上述第二外延层。