[发明专利]单晶硅的提拉方法无效
| 申请号： | 200810145905.2 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101363132A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 南俊郎 | 申请（专利权）人： | 科发伦材料株式会社 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯;孙秀武 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的提拉方法，该方法在使用切克劳斯基法的单晶硅的生长中，可以将颈径的变化率抑制在规定的范围内，且在早期排除颈中的位错。将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种单晶硅提拉中，使前述颈径增减来进行颈生长，这时，用增减的前述颈径邻接的变曲点P1、P2间的颈径差(A－B)除以前述变曲点间的颈长L，得到的值作为颈径变化率时，前述颈径变化率在0.05以上且不足0.5。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的提拉方法，其特征在于：将晶种与原料硅熔液接触并提拉，生长成颈后，进行增径以生长成规定晶体径的单晶体，在这种单晶硅提拉中，使前述颈径增减来进行颈的生长，这时，用增减的前述颈径邻接的变曲点间的颈径差除以前述变曲点间的颈长，得到的值作为颈径变化率时，前述颈径变化率为0.05以上且不足0.5。
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