[发明专利]信息存储元件和向/从信息存储元件写入/读取信息的方法无效
| 申请号： | 200910205175.5 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101727967A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 大森広之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/14 | 分类号： | G11C11/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种信息存储元件以及将信息写入到信息存储元件中并从信息存储元件读取信息的方法。该信息存储元件包括：带状的铁磁性材料层(铁磁性记录层)、置于铁磁性材料层的一端的第一电极、置于铁磁性材料层的另一端的第二电极，以及由反铁磁性材料构成并且与铁磁性材料层的至少一部分接触设置的反铁磁性区域，该方法包括下述步骤：在第一电极和第二电极之间施加电流，以产生电流诱导的畴壁运动；在铁磁性材料层中，将磁化状态作为信息写入到磁化区域中，或者，作为信息从磁化区域读取磁化状态；以及在畴壁运动时，消除或减少铁磁性材料层和反铁磁性区域之间的交换耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 信息 存储 元件 写入 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种将信息写入到信息存储元件中以及从信息存储元件读取信息的方法，该信息存储元件包括：带状的铁磁性材料层、置于铁磁性材料层的一端的第一电极、置于铁磁性材料层的另一端的第二电极，以及由反铁磁性材料构成并且与铁磁性材料层的至少一部分接触设置的反铁磁性区域，该方法包括下述步骤：在第一电极和第二电极之间施加电流，以产生电流诱导的畴壁运动；在铁磁性材料层中，将磁化状态作为信息写入到磁化区域中，或者，作为信息从磁化区域读取磁化状态；以及在畴壁运动时，消除或减少铁磁性材料层和反铁磁性区域之间的交换耦合。
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