[实用新型]低容值突波保护器无效

专利信息
申请号: 201120101878.6 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN202120904U 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 李安 申请(专利权)人: 李安
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/488
代理公司: 淄博佳和专利代理事务所 37223 代理人: 王立芹
地址: 255000 *** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 低容值突波保护器,属于半导体器件,为低容值突波保护组件。包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。在制程中增加铜粒垫高两颗晶粒之间的距离,避免两颗晶粒之间因焊锡过多而短路,提高了良品率,良品率由71%提高到92%。集合整流与保护双重功能于一身,节约了焊接材料及成本,使用时节省了焊接空间,有效减少线路中使用组件数量。
搜索关键词: 低容值突波 保护
【主权项】:
低容值突波保护器,包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李安,未经李安许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120101878.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top