[发明专利]ITO薄膜蚀刻方法有效
| 申请号： | 201210059887.2 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103310903A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 程志政;唐根初;蔡荣军 | 申请（专利权）人： | 深圳欧菲光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B23K26/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518106 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种ITO薄膜蚀刻方法，包括：提供一ITO薄膜，ITO薄膜包括透明树脂基板及形成于透明树脂基板上的ITO导电层；将ITO薄膜位于预设视窗区域之外的ITO导电层蚀刻除去，ITO薄膜上留下的ITO导电层覆盖整个预设视窗区域；在ITO薄膜的ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，形成线路；对印刷有导电银浆的ITO薄膜进行烘烤热处理；采用激光蚀刻的方法蚀刻预设视窗区域之内的ITO导电层，以形成图案。由于ITO薄膜在进行银浆烘烤热处理过程后，ITO薄膜预设视窗区域内相对保持平整完好，再通过激光蚀刻方法形成图案，避免形成的图案经过烘烤热处理而在预设视窗区域内产生应力差弯曲形变现象，因此，上述ITO薄膜蚀刻方法可减轻ITO薄膜的图案的可视性。 | ||
| 搜索关键词： | ito 薄膜 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种ITO薄膜蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一ITO薄膜，所述ITO薄膜包括透明树脂基板及形成于所述透明树脂基板上的ITO导电层；将所述ITO薄膜位于预设视窗区域之外的ITO导电层蚀刻除去，所述ITO薄膜上留下的ITO导电层覆盖整个所述预设视窗区域；在所述ITO薄膜的ITO导电层的蚀刻区域上印刷导电银浆，形成线路；对印刷有导电银浆的所述ITO薄膜进行烘烤热处理；及采用激光蚀刻的方法蚀刻所述预设视窗区域之内的ITO导电层，以形成图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳欧菲光科技股份有限公司，未经深圳欧菲光科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210059887.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
