[发明专利]一种半导体硒膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210209755.3 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102703946A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 巩江峰;张开骁;张博;朱卫华 | 申请（专利权）人： | 河海大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;H01L21/08 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体硒膜的制备方法，包括以下步骤：步骤一，电解液的配制：将含硒化合物溶于酸溶液或碱溶液，即得电解液；步骤二，半导体硒膜的制备：以衬底作为工作电极，在所述电解液中进行电化学沉积反应，沉积电位为-0.2～-2.0V，即得半导体硒膜。本发明提供的半导体硒膜的制备方法工艺简单、成本低、适合工业化生产。该方法制备以多种材料半导体硒膜为衬底，制备得到的半导体硒膜使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体硒膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）电解液的配制：将含硒化合物溶于酸溶液或碱溶液，即得电解液；（2）半导体硒膜的制备：以衬底作为工作电极，在所述电解液中进行电化学沉积反应，沉积电位为‑0.2~‑2.0V，即得半导体硒膜。
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