[发明专利]外延生长设备有效
| 申请号： | 201210444086.8 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103806094A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 董志清 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/08 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其中，反应腔室的腔室侧壁采用石英制作；加热单元围绕在腔室侧壁的外侧，并透过腔室侧壁朝向反应腔室的内部辐射热量。本发明提供的反应腔室，其可以提高反应腔室的温度分布均匀性，从而可以提高工艺的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 设备 | ||
【主权项】：
一种外延生长设备，其包括反应腔室和加热单元，其特征在于，所述反应腔室的腔室侧壁采用石英制作，所述加热单元围绕在所述腔室侧壁的外侧，并透过所述腔室侧壁朝向所述反应腔室的内部辐射热量。
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提升到了
，自旋极化率也由0.65提高至0.91；同时，自旋极化电子输运通道宽度由1nm左右提高至3nm，并可根据需要通过增加Sb2S3覆盖层的厚度进一步拓宽；Sb2S3覆盖层还能减小表面污染，如氧化等，对自旋极化电子流输运通道的影响。
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- 胡强;魏同波;羊建坤;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 - 中国科学院半导体研究所
- 2013-05-15 - 2013-09-04 - C30B25/10
- 本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。本发明通过双加热装置提高HVPE反应系统的生长温度，在石英反应腔内得到1500以上的高温区，从而可以实现AlN等材料的外延生长。且本发明提出的双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)能够降低能耗，提高控温精度。
- 氢化物气相外延装置-201110377192.4
- 甘志银 - 甘志银
- 2011-11-23 - 2013-06-05 - C30B25/10
- 氢化物气相外延装置，包括一气相外延反应腔，反应腔上部设有进气装置，进气装置下方设有一石英舟，反应腔下部设有载片盘，载片盘下方和上方设有加热装置，载片盘下方的加热装置与反应区由载片盘支撑隔开，反应腔底部设有排气口。本发明的优点是可在一个反应腔内生成金属氯化物并进行材料的外延生长，结构简单；载片盘上方和下方的加热装置可调节反应腔内部的温度梯度分布，从而改进材料的晶体质量；该装置设计方案具有可扩展性，并可与金属有机化合物气相外延设备结合使用。
- 改善灯加热腔体内温度均匀性的方法-201110342685.4
- 姚亮;于源源;刘继全 - 上海华虹NEC电子有限公司
- 2011-11-03 - 2013-05-08 - C30B25/10
- 本发明公开了一种改善灯加热腔体内温度均匀性的方法，包括步骤：1)对腔体校温，获得贵晶圆表面温度分布图形；2)制定透光挡板；3)制定与所述温度分布图形形状相反的模板；4)将所述模板覆盖到透光挡板上，涂上涂层；5)将带涂层的透光挡板放到腔体内的加热灯和上石英罩中间；6)重复步骤3～5)，调节涂层的形状，直到温度的均匀性满足要求。本发明通过在加热灯和硅片间增加特别制作的透光挡板，并在透光挡板上增加一层特殊图形的特殊涂层，使透过透光挡板及涂层到达晶圆表面的光线强度发生变化，从而有效改善了灯加热腔体内温度分布的均匀性，使加热后硅片表面的温度分布更均匀。
- 可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置-201110341401.X
- 甘志银 - 甘志银
- 2011-11-02 - 2013-05-08 - C30B25/10
- 可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置，包括一金属氯化物供应腔和一气相外延反应腔，其中供应腔外部设有加热装置和通气管道，内部设有一石英舟以放置金属源；气相外延反应腔上部设有一个反应气体进气装置，内部设有载片盘以放置衬底材料，在载片盘上、下方设有加热装置。本发明的优点是载片盘上、下方设置加热装置改变反应腔内的温度梯度分布，结合氢化物气相外延与金属有机物化学气相外延各自的优点，在同一个反应腔内实现氮化的氢化物外延与金属有机物外延，实现厚膜及薄膜的外延生长，从而实现同质外延；本方法也可以单独用于通过反应腔内的温度梯度改变而改善独立的金属有机物外延工艺，改进氮化物晶体的质量，提高器件性能。
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