[发明专利]一体构件制造方法及一体构件有效
| 申请号： | 201380061179.5 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104812517B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 土井康生;望月良幸;铃木启祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社F.C.C. |
| 主分类号： | B23K11/20 | 分类号： | B23K11/20;B23K11/00;B23K20/00;B23K103/20;B23P11/02;B23P19/02;C22C21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种一体构件制造方法，该方法涉及包括铝合金压铸材料的第一构件(1)和包括铁系材料的第二构件(2)的焊接和一体化，其中：第一构件(1)由包含预定量的硅且厚度尺寸大于第二构件(2)的构件构成；第二构件(2)相对于第一构件(1)沿厚度方向被推动并压配合在第一构件(1)中，与此同时向压配合部施加电流从而执行电阻焊接，致使第一构件和第二构件一体化；并且在压配合期间的压入量被设定成至少为第二构件(2)的厚度尺寸并且小于第一构件(1)的厚度尺寸，并且在压配合期间第一构件(1)和第二构件(2)之间的交叠余裕被设定为0.5mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一体 构件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造一体构件(W)的方法，通过焊接由铝合金材料形成的第一构件(1)和由铁系材料形成的第二构件(2)而制造一体构件(W)，该方法的特征在于：所述第一构件(1)含有预定量的硅且厚度比所述第二构件(2)的厚度大；沿着所述第一构件(1)和所述第二构件(2)的厚度方向使所述第二构件(2)挤压所述第一构件(1)且将所述第二构件(2)压入所述第一构件(1)中，在挤压期间电激励所述第一构件和所述第二构件的压入部以执行电阻焊接，从而执行所述第一构件(1)和所述第二构件(2)的一体化；将压入量设置为大于所述第二构件(2)的厚度且小于所述第一构件(1)的厚度的值；并且将所述第一构件(1)和所述第二构件(2)的交叠余裕(c)设置为0.5mm以上的值；通过接合时的通电和施压而发生熔化和塑性变形，从而在所述第一构件(1)和所述第二构件(2)的接合边界形成由Al‑Fe‑Si三元系化合物构成的中间层并且使所述接合边界相对于压入方向倾斜，形成有所述中间层的所述接合边界相对于接合方向倾斜大约10°。
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