[发明专利]断写缓解在审
| 申请号： | 201410383548.9 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104346241A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | M·A·盖尔特纳;J·珊萨姆;V·克里希纳穆尔蒂;S·法伍尔赫伯;Y·杨 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/20 | 分类号： | G06F11/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 断写减缓电路决定存储器的写入操作在确定存储器的写入操作是否在功率损失时正在进行。响应于所述写入操作在或大约功率损失时正在进行，断写减缓电路使得断写数据和元数据被存储到非易失性高速缓存。所述断写数据包含由于功率损失导致的留在退化或不可校正的状态的数据。所述元数据描述断写数据。 | ||
| 搜索关键词： | 缓解 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：检测存储器的功率损失；响应于存储器的写入操作在或大约功率损失时正在进行，存储断写数据到非易失性缓存，断写数据包括功率损失导致的留在降级或无法纠正的状态的数据；和在非易失性高速缓存中存储描述断写数据的元数据。
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