[发明专利]再分布层以及形成再分布层的方法在审
| 申请号： | 201410601468.6 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104600053A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | G·迈耶-伯格;R·普法尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 诺伊比*** | 国省代码： | 无 |
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| 摘要： | 提供了一种用于芯片的再分布层，其中再分布层包括使两个连接点彼此连接的至少一个电导体路径，其中至少一个电导体路径被布置在平坦的支撑层上，以及其中电导体路径包括铜和数量上大于0.04的质量百分比的至少一种其他另一导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 再分 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于芯片的再分布层，所述再分布层包括：使两个连接点彼此连接的至少一个电导体路径，其中所述至少一个电导体路径被布置在平坦的支撑层上，以及其中所述电导体路径包括铜和数量上大于0.04的质量百分比的至少一种其他另一导电材料。
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