[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法有效
申请号: | 201510081118.6 | 申请日: | 2015-02-15 |
公开(公告)号: | CN105990393B | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 陈启明;林胜结 | 申请(专利权)人: | 力晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法,该电阻式随机存取存储器包括电阻式随机存取存储单元串。电阻式随机存取存储单元串包括基底、第一导电型导体层与多个堆叠结构。第一导电型导体层设置于基底上。堆叠结构分离设置于第一导电型导体层上。各个堆叠结构包括第二导电型沉积层、电阻式随机存取存储单元与第一导线。第二导电型沉积层设置于第一导电型导体层上。电阻式随机存取存储单元设置于第二导电型沉积层上。第一导线设置于电阻式随机存取存储单元上。 | ||
搜索关键词: | 电阻 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电阻式随机存取存储器,包括一电阻式随机存取存储单元串,其中该电阻式随机存取存储单元串包括:基底;第一导电型导体层,设置于该基底上;以及多个堆叠结构,分离设置于该第一导电型导体层上,其中各该堆叠结构包括:第二导电型沉积层,设置于该第一导电型导体层上;电阻式随机存取存储单元,设置于该第二导电型沉积层上;以及第一导线,设置于该电阻式随机存取存储单元上,其中该电阻式随机存取存储单元串还包括二第二导电型掺杂区,设置于该电阻式随机存取存储单元串两末端的该第一导电型导体层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的