[发明专利]一种高灵活度的熔丝修调电路及其使用方法在审
| 申请号： | 201710389026.3 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107169219A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 方海燕 | 申请（专利权）人： | 北京伽略电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 北京君智知识产权代理事务所(普通合伙)11305 | 代理人： | 邢大文 |
| 地址： | 100081 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高灵活度的熔丝修调电路，所述熔丝修调电路包括修调控制电路、熔丝控制电路、电流熔断熔丝、输出驱动器和SRAM静态存储单元；所述熔丝控制电路由熔断电流控制管M1和恒流源I1构成，恒流源I1连接芯片电源与电流熔断熔丝；修调控制电路的另一个输出端与SRAM静态存储单元连接；输出驱动器由多路选择器构成，其输入端分别连接SRAM静态存储单元的输出端和所述电流熔断熔丝。本发明的熔丝修调电路通过SRAM静态存储单元的设置，实现在模拟修调阶段以SRAM输出代替熔丝动作，实现多次编程，有效提高修调电路灵活性和修调精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵活 熔丝修调 电路 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种高灵活度的熔丝修调电路，所述熔丝修调电路包括修调控制电路、熔丝控制电路、电流熔断熔丝和输出驱动器，其特征在于所述熔丝修调电路还包括SRAM静态存储单元；所述修调控制电路由与非门和反相器构成，所述修调控制电路具有两个输出端；所述熔丝控制电路由熔断电流控制管M1和恒流源I1构成，M1的源极与芯片电源连接，其漏极接电流熔断熔丝，其衬底与其源极短接，其栅极与所述修调控制电路的一个输出端连接；所述恒流源I1连接所述芯片电源与所述电流熔断熔丝；所述修调控制电路的另一个输出端与SRAM静态存储单元连接；所述输出驱动器由多路选择器构成，所述多路选择器具有至少两个输入端，分别连接SRAM静态存储单元的输出端和所述电流熔断熔丝。
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