[发明专利]热电转换材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201780076510.9 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110168759B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 加藤邦久;森田亘;武藤豪志;胜田祐马;近藤健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H10N10/857 | 分类号： | H10N10/857;B32B7/027;B32B27/18;B32B27/28;B32B33/00;H10N10/852;H10N10/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 热电 转换 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热电转换材料，其在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076510.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 热电转换材料及其制造方法-201780076510.9
- 加藤邦久;森田亘;武藤豪志;胜田祐马;近藤健 - 琳得科株式会社
- 2017-12-07 - 2023-07-04 - H10N10/857
- 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
- 一种硒化铋超晶格结构及其制备-202110206992.3
- 李含冬;贺靖;李俊烨;杜绍增;陈治;姬海宁;牛晓滨;王志明 - 电子科技大学
- 2021-02-24 - 2023-04-18 - H10N10/857
- 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi
- 专利分类
