[发明专利]一种测定高纯铝中硅元素的分析方法有效

专利信息
申请号: 201810066952.1 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108362685B 公开(公告)日: 2020-10-20
发明(设计)人: 刘喜山;张琮;李刚;叶晓英;杨春晟 申请(专利权)人: 中国航发北京航空材料研究院
主分类号: G01N21/73 分类号: G01N21/73
代理公司: 中国航空专利中心 11008 代理人: 李建英
地址: 100095 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属于高纯金属痕量元素分析技术,涉及一种测定高纯铝中硅的分析方法。本发明采用加入5mL~15mL氢氧化钠(100g/L),电热板控制在120V‑150V左右,加热约40min~70min,取下,冷却至室温,加入5mL~10mL盐酸,2mL~5mL硝酸,置于电热板上再次加热,溶解盐类。本发明以氢氧化钠、盐酸、硝酸、氢氟酸对试样进行溶解,以便获得澄清的试样溶液;通过进行干扰实验,确定了最佳分析谱线,提高了测量的准确度;方法测定范围宽,测量下线为0.001%,测量上限为0.02%;采用同步处理试样及配制校准溶液测量硅元素,分析误差最小,方法重复性好;回收率、精密度较好;通过标准样品的分析、方法复验等分析结果比对表明所制定的分析方法准确度好,方法稳定,完全符合痕量元素分析的要求。
搜索关键词: 一种 测定 高纯 铝中硅 元素 分析 方法
【主权项】:
1.一种测定高纯铝中硅元素的分析方法,其特征在于:采用电感耦合等离子体发射光谱仪,仪器的工作条件及分析线如下:高频频率:40.68MHz;入射功率:0.95~1.5kW;反射功率:<10W;入射狭缝:20μm;出射狭缝:15μm;氩气流量:冷却气流量:13~20L/min;护套气流量:0.2~0.5L/min;积分方式:一点式,最大值;分析线:251.61nm,252.41nm,288.15nm;(1)、在测定过程中所使用的试剂如下:(1.1)、盐酸,ρ1.19g/mL;高纯或亚沸蒸馏试剂;(1.2)、硝酸,ρ1.42g/mL;高纯或亚沸蒸馏试剂;(1.3)、盐酸(1+1);(1.4)、氢氧化钠溶液,100g/L;(1.5)、氢氧化钠溶液,400g/L;(1.6)、硅标准溶液:1.00mg/mL;称取12.12g硅酸钠(Na2SiO3·9H2O)置于500mL烧杯中,加入300mL水、40mL氢氧化钠溶液(1.5),加热煮沸数分钟。冷却至室温,过滤于1000mL塑料容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀;移取50.00mL三份上述溶液,用重量法平行进行标定以确定其准确浓度;(1.7)、硅标准溶液:0.01mg/mL;移取10.00mL硅标准溶液(1.6)1000mL塑料容量瓶中,加入盐酸(1.1)25mL,用水稀释至刻度,摇匀;(1.8)、硅标准溶液:0.005mg/mL;移取50.00mL硅标准溶液(1.7)100mL塑料容量瓶中,加入盐酸(1.1)10mL,用水稀释至刻度,摇匀;(1.9)、硅标准溶液:0.002mg/mL;移取20.00mL硅标准溶液(1.8)50mL塑料容量瓶中,加入盐酸(1.1)5mL,用水稀释至刻度,摇匀;(1.10)、铝底液A:20.0mg/mL;称取5.000g纯铝,纯度>99.998%,置于400mL聚四氟乙烯烧杯中,加入250mL氢氧化钠溶液(1.4),电热板控制在130V左右,加热约60min,取下,冷却至室温,加入120mL盐酸,70mL硝酸,于电热板上加热,溶解盐类,取下,冷却至室温移入250mL塑料容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀称;(1.11)、铝底液B:20.0mg/mL;称取5.000g纯铝,纯度>99.998%,置于400mL聚四氟乙烯烧杯中,加入50mL水,50mL盐酸(1.1),电热板控制在130V左右,低温加热至纯铝溶解,取下,冷却至室温,吹水,于电热板上加热,溶解盐类,取下,冷却至室温移入250mL塑料容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀;(2)、取样和制样;分析用的试样按照HB/Z 205的要求进行取样和制样;(3)、元素分析谱线选择:配制系列单一溶液,10mL盐酸(1.1)和5mL硝酸(1.2)、1.00mL硅标准溶液(1.8)、3.00mL硅标准溶液(1.8)、7.50mL硅标准溶液(1.7)、10.00mL硅标准溶液(1.7)、25.00mL铝标准溶液(1.9)、25.00mL铝标准溶液(1.9)和1.00mL硅标准溶液(1.8)、25.00mL铝标准溶液(1.9)和10.00mL硅标准溶液(1.7))分别置于50mL容量瓶中,在原子发射光谱仪的谱线库中找出干扰相对小、谱线强度相对高的6‑7条镓分析谱线,将系列单一溶液在谱线上进行谱图扫描、叠加,从中选取1条谱线强度高、铝基体元素和共存元素干扰最小的分析线作为分线谱线;(4)、高纯铝溶解试验选取4个标准物质样品,第一个标准物质样品中硅元素含量的质量百分比为0.0012%,第二个标准物质样品中硅元素含量的质量百分比为0.0585%,第三个标准物质样品中硅元素含量的质量百分比为0.0152%,第四个标准物质样品中硅元素含量的质量百分比为0.0011%;(4.1)酸溶(4.1.1)盐酸硝酸溶样称取第一、三和四标准物质样品0.5000g各1份,分别置于3个100mL聚四氟乙烯烧杯中,每个烧杯中加入20mL盐酸(1.3),电炉调压器控制在130V至150V之间,加热溶解纯铝试样,溶解完全后向试样溶液中加入3mL HNO3(1.2),加热5‑20分钟,取下,稍冷,吹水加热溶解盐类,定容于50mL容量瓶中,稀释至刻度,摇匀;(4.1.2)盐酸用量试验称取称取第一、二和三标准物质样品0.5000g各1份,分别置于3个100mL聚四氟乙烯烧杯中,每个烧杯中加入10mL、15mL、20mL及30mL盐酸(1.3),电炉调压器控制在130V至150V之间,加热溶解纯铝试样,溶解完全后向试样溶液中加入3mL HNO3(1.2),加热5‑20分钟,取下,稍冷,吹水加热溶解盐类,定容于50mL容量瓶中,稀释至刻度,摇匀;(4.1.3)氢氟酸络合硅试验称取第三标准物质样品0.5000g三份,置于3个100mL聚四氟乙烯烧杯中,分别按照以下三种情况处理标准物质,(1)20mL盐酸(1.3),3.0mL硝酸(1.2);(2)20mL盐酸(1.3),10滴氢氟酸水浴控温低于70℃,溶解完全后加3.0mL硝酸(1.2);(3)20mL盐酸(1.3),3.0mL硝酸(1.2),溶解完全后加10滴氢氟酸水浴控温低于70℃,定容于50mL容量瓶中,稀释至刻度,摇匀;(4.2)碱溶称取第一、二、三和四标准物质样品0.2000g各1份,分别置于4个100mL聚四氟乙烯烧杯中,每个烧杯中加入10mL氢氧化钠(1.4),电热板控制在130V±20V,加热40‑100min,取下,冷却至室温,加入7mL盐酸,3mL硝酸,置于电热板上再次加热,溶解盐类,取下,冷却至室温移入50mL塑料容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀;(5)、基体干扰、标准加入法法及工作曲线线性试验a.制备试剂空白工作曲线:随同“制备试样溶液”制备试剂空白溶液七份移入七个50mL容量瓶,分别在第一个至第七个容量瓶中准确加入0.00mL、1.00mL、3.00mL及5.00mL硅标准溶液(1.9)、4.00mL、6.00mL及8.00mL硅标准溶液(1.8),用水稀释至刻度,摇匀;b.制备含铝基体工作曲线:另外取七个50mL容量瓶中,分别在第一个至第七个容量瓶中加入10.0mL铝基体溶液(1.10),再在第一个至第七个容量瓶中分别准确加入0.00mL、1.00mL、3.00mL及5.00mL硅标准溶液(1.9)、4.00mL、6.00mL及8.00mL硅标准溶液(1.8),用水稀释至刻度,摇匀;c.标准加入法工作曲线c.1标准加入法试剂空白工作曲线随同“制备试样溶液”制备试剂空白溶液四份移入四个50mL容量瓶,分别在第一个至第四个容量瓶中准确加入0.00mL、0.50mL、1.00mL及2.00mL硅标准溶液(1.9),用水稀释至刻度,摇匀;c.2标准加入法试样工作曲线随同“制备试样溶液”再制备三份相同的试样溶液移入三个50mL容量瓶,分别在第一个至第三个容量瓶中准确加入1.00mL、2.00mL及4.00mL硅标准溶液(1.9),用水稀释至刻度,摇匀;也可按照试样大致含量范围以1.00倍,2.00倍及4.00倍成比例加入硅标准溶液(1.9)或(1.8)配制工作曲线;(6)、分析步骤如下:(6.1)、试料:称取0.20g试样,精确到0.0001g;(6.2)、制备试样溶液:将分析步骤(6.1)的试料置于100mL聚四氟乙烯烧杯中,加入5mL~15mL氢氧化钠(1.4),电热板控制在120V‑150V左右,加热约40min~70min,取下,冷却至室温,加入5mL~10mL盐酸(1.1),2mL~5mL硝酸(1.2),置于电热板上再次加热,溶解盐类,取下,冷却至室温移入50mL塑料容量瓶中,用水稀释至刻度,摇匀;(6.3)、制备校准溶液;采用如下方式之一,采用(5)b制备含铝基体工作曲线中的点作为低标溶液和高标溶液;以不加硅标准溶液的一点为低标溶液,其他各点可根据试样含量范围作为高标溶液;要求高标溶液点必须覆盖试样中硅元素分析范围;采用(5)c制备标准加入法工作曲线,其中含试剂空白工作曲线及试样工作曲线,要求试样工作曲线最高点必须覆盖试样中硅元素分析范围;(6.4)、测量试样溶液中硅的浓度;按电感耦合等离子体原子发射光谱仪选定的工作条件及分析谱线,依次采用低标溶液和高标溶液或加入法工作曲线中试剂空白工作曲线及试样工作曲线对仪器进行标准化,然后,测量试样溶液中硅的浓度,得到硅的百分含量。
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  • 杨华春;刘保元;李燕子;崔艺馨;赵亮;李博文;周苏;李鹏 - 河南省氟基新材料科技有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-09-15 - G01N21/73
  • 本发明涉及一种消解聚偏二氟乙烯及测量聚偏二氟乙烯中金属离子的方法。本发明的消解聚偏二氟乙烯的方法,包括以下步骤:(1)将聚偏二氟乙烯、浓硫酸和浓硝酸混合加热至体系变为黑红色液体,冷却;(2)向步骤(1)所得体系中加入浓硝酸进行二次消解,得到黄色液体,再次加热得到淡黄色液体。利用本发明的方法对PVDF进行消解,消解结束后的样品经过多次ICP‑OES检测,可以精确的检测出各个金属离子含量,同时仪器可以正常使用,仪器没有发生堵塞或熄火现象。说明本发明的方法可以对PVDF进行彻底消解,并且具有消解速度快、操作简单、对后期金属离子的检测没有影响的优点。
  • 一种评价电池浆料稳定性的方法-202310776256.0
  • 杨超;尹福利;杨晓琴;牟丽莎 - 深蓝汽车科技有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-15 - G01N21/73
  • 本发明提供一种测试电池浆料稳定性的方法,该方法采用ICP‑OES、TG‑MS定量分析对电池浆料的材料组成进行检测,利用浆料静置后,在设定高度处的横截面的浆料的材料质量百分比变化率来评价浆料的稳定性,检测精确度高,且能够清晰得出何种材料对该浆料稳定性起较大作用,通过调整该材料的理化性能可以改善浆料体系的稳定性。
  • 一种用ICP-OES分析5N级三氧化钼中As含量的方法-202310468817.0
  • 王玉红;加明;周春燕;肖露 - 成都鼎泰新材料有限责任公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-12 - G01N21/73
  • 本发明提供了一种用ICP‑OES分析5N级三氧化钼中As含量的方法,包括:(1)分析含钼基的As标准溶液,建立As的标准曲线;(2)分析试剂空白,扣除试剂对As含量检测的干扰;(3)分析经过前处理的5N级三氧化钼样品溶液,基于检测出的As的感应强度和建立的As的标准曲线计算出5N级三氧化钼中As的含量;经过前处理的5N级三氧化钼样品溶液通过以下方法制备:称取5N级三氧化钼加入氨水,用超纯水冲洗后,摇晃震荡至样品完全溶解,再加入浓盐酸,用超纯水稀释定容。本发明操作流程简单,能快速高效测定低杂5N级三氧化钼的As含量。
  • 基于全光谱测量的等离子发射光谱检测器-202310767805.8
  • 黎文宇;陈保珠;徐慕华 - 北京市华宇博泰科技发展有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-09-12 - G01N21/73
  • 一种基于全光谱测量的等离子发射光谱检测器,其包括:电离气室、布置于电离气室的一侧的反射镜组、布置于电离气室的另一侧的狭缝、用于透过来自反射镜组和狭缝的光的聚光透镜、用于对来自聚光透镜的入射光进行色散的分光光栅、用于检测来自分光光栅的色散光的光电检测器、用于接收来光电检测器的输出信息的放大电路。如此,通过,将等离子技术和特殊滤光技术相结合,应用于气相色谱仪,可以实现气相色谱仪器及仪表检测不再受限于气体微量杂质含量浓度在0.1ppbv/v的格局。
  • 一种用ICP-OES分析5N级三氧化钼中Si含量的方法-202310473791.9
  • 王玉红;周春燕;加明;肖露 - 成都鼎泰新材料有限责任公司
  • 2023-04-27 - 2023-09-05 - G01N21/73
  • 本发明提供了一种用ICP‑OES分析5N级三氧化钼中Si含量的方法,包括:(1)分析含钼基的Si标准溶液,建立Si的标准曲线;(2)分析试剂空白,扣除试剂对Si含量检测的干扰;(3)分析经过前处理的5N级三氧化钼样品溶液,基于检测出的Si的感应强度和建立的Si的标准曲线计算出5N级三氧化钼中Si的含量;经过前处理的5N级三氧化钼样品溶液通过以下方法制备:称取5N级三氧化钼加入氨水,用超纯水冲洗后,摇晃震荡至样品完全溶解,再加入浓盐酸,用超纯水稀释定容。本发明操作流程简单,能快速高效测定低杂5N级三氧化钼的Si含量。
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