[发明专利]半导体存储装置及数据设定方法有效
申请号: | 201810071244.7 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108399934B | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 小嶋英充 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/08 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供能够正确设定输入数据的半导体存储装置及数据设定方法。该半导体存储装置包括:输入电路,将输入数据输出到数据总线上;逻辑电路,回应于与外部时脉信号同步的写入时脉信号,将数据总线上的输入数据输出到由列地址所选择的数字线;页缓冲器,回应于延迟写入时脉信号的内部时脉信号,将数字线的数据保持于由列地址所选择的列的保持电路;以及地址计数器,回应于写入时脉信号来产生列地址。其中回应于写入时脉信号,将列地址供给至逻辑电路,回应延迟的内部时脉信号,将列地址供给至页缓冲器。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 数据 设定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括:输入电路,接收输入数据,将该输入数据输出到多个位宽的数据总线上;多个数字线;逻辑电路,回应于第一内部时脉信号,将该内部数据总线上的输入数据输出到由列地址所选择的数字线;数据保持构件,回应于延迟该第一内部时脉信号的第二内部时脉信号,将该数字线的数据保持于由列地址所选择的列的保持电路;存储元阵列,可程序化保持于该数据保持构件的输入数据;以及地址产生构件,回应于该第一内部时脉信号来产生列地址,其中回应该第一内部时脉信号,将列地址供给至该逻辑电路,回应该第二内部时脉信号,将列地址供给至该数据保持构件。
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