[发明专利]半导体存储装置及数据设定方法有效

专利信息
申请号: 201810071244.7 申请日: 2018-01-25
公开(公告)号: CN108399934B 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 小嶋英充 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供能够正确设定输入数据的半导体存储装置及数据设定方法。该半导体存储装置包括:输入电路,将输入数据输出到数据总线上;逻辑电路,回应于与外部时脉信号同步的写入时脉信号,将数据总线上的输入数据输出到由列地址所选择的数字线;页缓冲器,回应于延迟写入时脉信号的内部时脉信号,将数字线的数据保持于由列地址所选择的列的保持电路;以及地址计数器,回应于写入时脉信号来产生列地址。其中回应于写入时脉信号,将列地址供给至逻辑电路,回应延迟的内部时脉信号,将列地址供给至页缓冲器。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 数据 设定 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,包括:输入电路,接收输入数据,将该输入数据输出到多个位宽的数据总线上;多个数字线;逻辑电路,回应于第一内部时脉信号,将该内部数据总线上的输入数据输出到由列地址所选择的数字线;数据保持构件,回应于延迟该第一内部时脉信号的第二内部时脉信号,将该数字线的数据保持于由列地址所选择的列的保持电路;存储元阵列,可程序化保持于该数据保持构件的输入数据;以及地址产生构件,回应于该第一内部时脉信号来产生列地址,其中回应该第一内部时脉信号,将列地址供给至该逻辑电路,回应该第二内部时脉信号,将列地址供给至该数据保持构件。
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