[发明专利]一种碳/碳复合材料表面复合陶瓷涂层的制备方法有效
申请号: | 201810142439.6 | 申请日: | 2018-02-11 |
公开(公告)号: | CN108456004B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 马瑞廷;汪金铭;赵海涛;李喜坤;赵晖;王余莲;张武 | 申请(专利权)人: | 沈阳理工大学 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87 |
代理公司: | 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 | 代理人: | 宁佳 |
地址: | 110159 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: |
一种碳/碳复合材料表面复合陶瓷涂层的制备方法,属于航空航天技术领域,具体步骤为:按物质的量比取Si,SiC和MoSi |
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搜索关键词: | 一种 复合材料 表面 复合 陶瓷 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳/碳复合材料表面复合陶瓷涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,碳/碳复合材料表面SiC‑MoSi2预涂层制备:(1)按物质的量比为(1~3):(0.5~1~1.5):(1~2),取Si,SiC和MoSi2粉混合形成原料粉末,加入粘结剂,所述的粘结剂添加量按质量比为原料粉末的8.2~10%,充分混合,形成混合物;(2)向混合物中加入去离子水调成粘稠状的悬浊液,静置20~30min后再次搅拌均匀,将悬浊液均匀涂覆在C/C复合材料表面,形成预涂层,所述的预涂层厚度为0.5~2mm;步骤2,将预涂层自然风干后,进行烘干处理,形成表面涂有SiC‑MoSi2预涂层的碳/碳复合材料试样;步骤3,真空热压烧结法制备SiC‑MoSi2复合陶瓷涂层:(1)将表面涂有SiC‑MoSi2预涂层的碳/碳复合材料试样放入模具中;(2)带有试样的模具进行煅烧,SiC‑MoSi2预涂层与碳/碳复合材料基体发生化学反应,表面形成组织均匀的SiC~MoSi2复合陶瓷涂层,制得碳/碳复合材料表面SiC~MoSi2复合陶瓷涂层;其中,所述的煅烧在真空热压烧结炉中进行,烧结炉内真空度为0.001~0.1Pa,炉内压力为10~20MPa,煅烧温度为1500~1800℃,煅烧时间为4~6h。
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