[发明专利]一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚在审

专利信息
申请号: 201810159428.9 申请日: 2018-02-26
公开(公告)号: CN108374197A 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 蒲红斌;李小红;刘兵;封先锋 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 韩玙
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚,包括石墨盖和石墨底槽,石墨盖和石墨底槽之间还设置有石墨环,石墨盖位于石墨环的上部封口处,石墨盖下方依次还有碳化硅籽晶、碳化硅粉源,石墨环和石墨底槽之间增加了石墨连接环,石墨连接环与石墨环和石墨底槽之间通过卡槽嵌套连接,石墨盖、石墨环和石墨底槽、石墨连接环均由相同材料的高纯石墨制作而成,高纯石墨是指碳含量大于99.999%的石墨,碳化硅粉源的装料高度低于石墨连接环的位置,避免碳化硅粉的结晶导致石墨连接环与石墨底槽粘结在一起,造成拆卸困难,本发明解决了现有技术中存在的碳化硅生长长度短和生长成本过高的问题。
搜索关键词: 石墨 底槽 石墨连接环 石墨盖 石墨环 碳化硅粉 生长 碳化硅晶体 高纯石墨 石墨坩埚 碳化硅籽晶 嵌套连接 装料 封口处 碳化硅 拆卸 卡槽 粘结 制作
【主权项】:
1.一种增加碳化硅晶体生长长度的石墨坩埚,其特征在于,包括石墨盖(1)和石墨底槽(4),石墨盖(1)和石墨底槽(4)之间还设置有石墨环(3),石墨盖(1)位于石墨环(3)的上部封口处,石墨盖(1)下方依次还有碳化硅籽晶(2)、碳化硅粉源(5),石墨环(3)和石墨底槽(4)之间增加了石墨连接环(6)。
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