[发明专利]自旋轨道磁性记忆体及其制造方法在审
| 申请号： | 201810344693.4 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109841726A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈佑昇;王艺蓉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种自旋轨道磁性记忆体及其制造方法。自旋轨道磁性记忆体包括：一自旋霍尔金属层；一自由磁性层，设置于该自旋霍尔金属层上，其中该自由磁性层包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度；一阻障层，包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度，其中该阻障层的该第一区域设置于该自由磁性层的该第一区域上，该阻障层的该第二区域设置于该自由磁性层的该第二区域上；一固定层，设置于该阻障层的该第一区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 第一区域 第二区域 自由磁性层 阻障层 自旋 磁性记忆 金属层 霍尔 轨道 固定层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道磁性记忆体，其特征在于，包括：一自旋霍尔金属层；一自由磁性层，设置于该自旋霍尔金属层上；一阻障层，设置于该自由磁性层上，其中该阻障层包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度；一固定层，设置于该阻障层的该第一区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院，未经财团法人工业技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810344693.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热电模块板和包括它的热电模块组件
- 下一篇：制造磁阻随机存取存储器器件的方法
- 同类专利
- 霍尔元件芯片及其制作方法-201910730354.4
- 王广才;王静;李菁;欧琳 - 南开大学
- 2019-08-08 - 2019-11-05 - H01L43/04
- 本发明公开了一种霍尔元件芯片及其制作方法，采用铝电极以及过渡层的结构和锑化铟薄膜形成欧姆接触，相对于采用金电极的现有技术方案，大大降低了金属电极材料的成本。另外，金电极需要金丝球超声波压焊工艺，金的熔点较高，需要将霍尔元件芯片置于惰性气体保护环境中加热，然后完成打线工艺，而本发明技术方案中铝电极可以在常温和空气中通过铝超声波压焊机完成打线工艺，以实现和框架的电连接，无需高温条件以及惰性气体保护环境，制作工艺简单，进一步降低了制作成本。
- 半导体装置-201910215514.1
- 飞冈孝明;挽地友生 - 艾普凌科株式会社
- 2019-03-21 - 2019-10-22 - H01L43/04
- 本发明提供一种具有能够高精度地去除偏移的纵型霍尔元件的半导体装置。所述半导体装置包括：纵型霍尔元件，设置在半导体基板的第1区域，并具有在第1直线上空开间隔配置的多个第1电极；以及电阻元件，设置在半导体基板的与第1区域不同的第2区域，并具有在第2直线上空开间隔配置的多个第2电极，且多个第1电极与多个第2电极是以在纵型霍尔元件通过旋转电流法而受到驱动时的各相中的任一相中电流路径的电阻值均变得大致相等的方式加以连接。
- 一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器-201710749689.1
- 闵泰;何岳巍 - 西安交通大学
- 2017-08-28 - 2019-10-18 - H01L43/04
- 一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器，其结构特点为非磁性重金属层、MTJ单元及侧电极均为长方体柱状且垂直于圆晶衬底面，上电极、底电极及绝缘层平行于圆晶衬底面。同时MTJ单元自由层直接与非磁性重金属层接触，MTJ单元、侧电极通过绝缘层与上电极、底电极隔开，非磁性重金属层直接与上电极、底电极接触。一种基于自旋霍尔效应的SOT‑MRAM存储单元，其功能特点为，电流流经非磁性重金属层时，通过自旋霍尔效应产生自旋流，该自旋流通过自由层，以矩的形式作用于自由层磁矩，使其发生翻转，完成信息写入。此外，当电流通过底电极流经MTJ单元，流向侧电极时完成对存储单元内信息的读取。
- 逻辑器件及其制造方法-201910573578.9
- 叶建国 - 叶建国
- 2019-06-28 - 2019-10-15 - H01L43/04
- 本发明提供一种逻辑器件及其制作方法，该逻辑器件从下至上依次包括：柔性衬底，非磁缓冲层，耦合层，磁性缓冲层，多铁层和电极层；其中，耦合层为超薄膜，以实现反常霍尔效应和拓扑霍尔效，电极层包括十字结构，通过改变施加在非磁缓冲层与电极层之间电压的方向，改变十字结构的其中一组相对端之间的霍尔电阻。具体地，衬底为柔性衬底，具有抗挤压、可弯曲等优点，该器件采用了反常霍尔效应和拓扑霍尔效应原理，具有高灵敏性且不易失真的特性，不仅有效降低了对自旋轨道耦合效应进行调控所需的电压，还可结合外部磁场实现逻辑非运算功能，进一步地，还可基于此逻辑器件制作出相应的存储器件。
- 一种半导体器件-201822108883.4
- 胡双元 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2018-12-14 - 2019-09-24 - H01L43/04
- 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层。通过两种导电类型的半导体层层叠设置，保证了半导体器件使用过程中的绝缘性能；并通过互相键合的导热层，保证了半导体器件的正常散热，保持半导体器件的灵敏度。
- 一种霍尔元件-201920224166.X
- 刘洪刚;孙兵;常虎东 - 苏州闻颂智能科技有限公司
- 2019-02-22 - 2019-09-13 - H01L43/04
- 本实用新型公开了一种霍尔元件，包括依次层叠设置的半绝缘衬底层、缓冲层、功能层和金属电极层，该霍尔元件还包括沿着远离功能层的方向依次叠设于功能层上的钝化层和保护层，金属电极层沿着远离功能层的方向延伸并依次穿过钝化层和保护层。本实用新型的一种霍尔元件，通过采用铟铝镓磷钝化层与功能层形成高质量的异质外延界面，可以有效钝化功能层表面，提高了钝化效果；同时通过二氧化硅层和氮化硅层的叠层结构，形成保护层，可以有效减小霍尔元件的表面应力。
- 具有包括互连件及迹线的金属层的霍尔效应传感器-201910139403.7
- 凯特·瑞安·格伦;李德元 - 德州仪器公司
- 2019-02-25 - 2019-09-03 - H01L43/04
- 本申请案涉及拥有具有互连件及迹线的金属层的霍尔效应传感器。霍尔效应传感器(100；200)包括：半导体衬底(102)；第一阱(104)，其形成在所述半导体衬底中；第一欧姆接点(112)，其形成在所述第一阱中；第二欧姆接点(114)，其形成在所述第一阱中；第一端子(116)，其电耦合到所述第一欧姆接点；第二端子(118)，其电耦合到所述第二欧姆接点；及第一金属层(135)，其形成在所述半导体衬底上方。所述第一金属层包括第一互连件(128；134)及第一迹线(136)，其中所述第一迹线形成在所述第一阱上方，且其中所述第一互连件将所述第一阱的第一部分(130)电耦合到所述第一阱的第二部分(132)。所述第一及第二欧姆接点各自定位在所述第一阱的所述第一部分与所述第二部分之间，其中所述第一互连件与所述第一迹线电隔离。
- 一种大功率霍尔器件用引线框架、封装结构及其封装工艺-201910374555.5
- 叶锦祥;刘文雄;李士宏;李飞 - 合肥久昌半导体有限公司
- 2019-05-07 - 2019-08-16 - H01L43/04
- 本发明公开了一种大功率霍尔器件用引线框架、封装结构及其封装工艺，包括引线框架本体和设置于引线框架本体上端的基岛，所述基岛通过两侧的基岛连筋与引脚固定连接。在通过使用导电胶将芯片粘贴到基岛上，保证了散热效果的情况下，通过设置的基岛连筋将引脚和基岛隔开，避免芯片通过基岛与引脚连通造成击穿的情况。
- 霍尔电流传感器的引线框架及传感器-201920141438.X
- 李强;王建国 - 意瑞半导体（上海）有限公司
- 2019-01-28 - 2019-07-16 - H01L43/04
- 本实用新型提供了一种霍尔电流传感器的引线框架及传感器，所述引线框架的第一侧边设置有至少一个原边电流输入引线连接端，引线框架的第二侧边设置有至少一个副边信号引线连接端；引线框架上设置有一导线，导线与原边电流输入引线连接端相连接；引线框架上还设置有与副边信号引线连接端一一对应的信号处理引线，信号处理引线的第一端连接至所对应的副边信号引线连接端，信号处理引线的第二端向引线框架的第一侧边方向延伸，且信号处理引线的第二端设置有芯片连接部。本实用新型将原边电流输入引线连接端和副边信号引线连接端的爬电距离增大到引线框架的最大宽度，最大化霍尔电流传感器的爬电距离，提高隔离效果。
- 一种可检测入射光强度的霍尔传感器-201821752802.8
- 不公告发明人 - 中山科立特光电科技有限公司
- 2018-10-29 - 2019-06-21 - H01L43/04
- 本实用新型涉及一种可检测入射光强度的霍尔传感器，包括衬底层，设置于衬底层上方的金属层，设置于金属层上方的透光导电层，所述透光导电层的上方还设置有多个平行排列的金属条；所述透光导电层的左右设置有电极；所述透光导电层的前后两侧设置有磁极；该可检测入射光强度的霍尔传感器，通过光对霍尔效应的电场造成影响，从而改变传感器的电流，通过对电流的检测，来反映光的变化，不仅结构简单，而且灵敏性高，特别是对能够与法布里‑珀罗腔共振的特定频率的光，具有非常好的检测效果，通过改变透光导电层所加载的电压，可以调节透光导电层对不同频率的光的响应，使得法布里‑珀罗腔的共振频率发生改变，这样就可以对共振的频率进行调节。
- 自旋轨道磁性记忆体及其制造方法-201810344693.4
- 陈佑昇;王艺蓉 - 财团法人工业技术研究院
- 2018-04-17 - 2019-06-04 - H01L43/04
- 本发明提供一种自旋轨道磁性记忆体及其制造方法。自旋轨道磁性记忆体包括：一自旋霍尔金属层；一自由磁性层，设置于该自旋霍尔金属层上，其中该自由磁性层包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度；一阻障层，包括一第一区域与一第二区域，该第二区域位于该第一区域的两侧，且该第二区域的厚度等于或小于该第一区域的厚度，其中该阻障层的该第一区域设置于该自由磁性层的该第一区域上，该阻障层的该第二区域设置于该自由磁性层的该第二区域上；一固定层，设置于该阻障层的该第一区域上。
- 一种半导体器件及其制备方法-201811536672.9
- 胡双元 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2018-12-14 - 2019-05-31 - H01L43/04
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层。通过两种导电类型的半导体层层叠设置，保证了半导体器件使用过程中的绝缘性能；并通过互相键合的导热层，保证了半导体器件的正常散热，保持半导体器件的灵敏度。
- 一种半导体锑化铟霍尔器件的封测系统-201821879005.6
- 肖广源;罗红军 - 上海华友金裕微电子有限公司
- 2018-11-15 - 2019-05-31 - H01L43/04
- 本实用新型公开了一种半导体锑化铟霍尔器件的封测系统，包括上引线框架、引线框架单元和边框,所述上引线框架上设置有两行引线框架单元，且每一行引线框架单元均等距设置有八组，所述同一行的每组引线框架单元与相邻一组引线框架单元之间均设置有中筋，所述上引线框架的左右两端均设置有散热边框，且上引线框架的外边缘设置有边框。该半导体锑化铟霍尔器件的封测系统，整体结构设置更加合理，牢固引线框架单元之间的连接区域，并且设置方便定位的定位孔，精准定位，芯片对准放置，同时设置更加耐磨抗爆、打薄片不弯曲，具有更好的防护作用，保护中间区域结构不易受损，更加实用耐用，节省成本，提高生产收益。
- 一种高灵敏度霍尔元件的制备方法-201811538853.5
- 胡双元;米卡·瑞桑 - 苏州矩阵光电有限公司
- 2018-12-14 - 2019-04-26 - H01L43/04
- 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐蚀方法进行腐蚀剥离，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e)霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f)制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g)霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。根据本发明，采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜，性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件；采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层，可大大降低生产成本；磁性基板和芯片，可以大大提高霍尔元件的灵敏度。
- 霍尔电流传感器的引线框架及传感器-201910079122.7
- 李强;王建国 - 意瑞半导体（上海）有限公司
- 2019-01-28 - 2019-04-09 - H01L43/04
- 本发明提供了一种霍尔电流传感器的引线框架及传感器，所述引线框架的第一侧边设置有至少一个原边电流输入引线连接端，引线框架的第二侧边设置有至少一个副边信号引线连接端；引线框架上设置有一导线，导线与原边电流输入引线连接端相连接；引线框架上还设置有与副边信号引线连接端一一对应的信号处理引线，信号处理引线的第一端连接至所对应的副边信号引线连接端，信号处理引线的第二端向引线框架的第一侧边方向延伸，且信号处理引线的第二端设置有芯片连接部。本发明将原边电流输入引线连接端和副边信号引线连接端的爬电距离增大到引线框架的最大宽度，最大化霍尔电流传感器的爬电距离，提高隔离效果。
- 用于静电掺杂二维掺杂层的层复合体及其制造方法和设备-201811131138.X
- R.勒尔弗;A.布伦奈斯;F.普尔克尔 - 罗伯特·博世有限公司
- 2018-09-27 - 2019-04-05 - H01L43/04
- 本发明涉及一种用于静电掺杂二维掺杂层（104）的层复合体（102）。所述层复合体（102）包括具有限定的载流子密度和/或限定的极性的与所述掺杂层（104）连接成所述层复合体（102）的电介体层（400）。所述电介体层（400）被构造用于通过与所述掺杂层（104）的静电相互作用将所述掺杂层（104）的载流子密度根据限定的载流子密度而调节到限定的值上和/或根据限定的极性来极化所述掺杂层（104）。
- 一种可检测入射光强度的霍尔传感器-201811264281.6
- 不公告发明人 - 中山科立特光电科技有限公司
- 2018-10-29 - 2019-01-11 - H01L43/04
- 本发明涉及一种可检测入射光强度的霍尔传感器，包括衬底层，设置于衬底层上方的金属层，设置于金属层上方的透光导电层，所述透光导电层的上方还设置有多个平行排列的金属条；所述透光导电层的左右设置有电极；所述透光导电层的前后两侧设置有磁极；该可检测入射光强度的霍尔传感器，通过光对霍尔效应的电场造成影响，从而改变传感器的电流，通过对电流的检测，来反映光的变化，不仅结构简单，而且灵敏性高，特别是对能够与法布里‑珀罗腔共振的特定频率的光，具有非常好的检测效果，通过改变透光导电层所加载的电压，可以调节透光导电层对不同频率的光的响应，使得法布里‑珀罗腔的共振频率发生改变，这样就可以对共振的频率进行调节。
- 霍尔器件制备方法及霍尔器件-201810386678.6
- 钟青;王雪深;李劲劲;钟源 - 中国计量科学研究院
- 2018-04-26 - 2018-11-06 - H01L43/04
- 本申请提供一种霍尔器件制备方法及霍尔器件，通过霍尔器件制备方法获得的霍尔器件，在GaAs衬底表面上直接光刻电极图形，沉积金属层，使得金属材料与二维电子气结构层接触，形成所述多个金属电极。然后，通过对制备有多个金属电极的GaAs衬底放置于保护气中退火，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层形成良好的欧姆接触。最后，用划片机沿着多个金属电极的外侧切出霍尔器件。霍尔器件没有霍尔棒结构，使得霍尔器件具有相对较大的临界电流。同时，通过图案化的掩膜层可以使得在进行光刻时，确保多个金属电极的精确对称。并且，霍尔器件制备方法由于减少了化学腐蚀霍尔棒的工艺步骤，使得GaAs衬底表面与二维电子气结构层的欧姆接触电阻的成功率达到100％。
- 半导体装置-201810078790.3
- 朝生龙也 - 艾普凌科有限公司
- 2018-01-26 - 2018-09-25 - H01L43/04
- 本发明提供减少非对称地产生的偏置电压的霍尔元件。半导体装置具有：具有霍尔元件形成区域的第一导电型的半导体层；浓度比半导体层高且以包围霍尔元件形成区域的方式设置的第一导电型的元件分离区域；以及形成在霍尔元件形成区域的霍尔元件，霍尔元件具备浓度比半导体层高且与元件分离区域隔着半导体层分离设置的第二导电型的磁感受部。
- 半导体装置-201810078230.8
- 飞冈孝明 - 艾普凌科有限公司
- 2018-01-26 - 2018-09-14 - H01L43/04
- 本发明提供提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度的纵型霍尔元件。具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；多个电极，在半导体层的表面在直线上设置，由浓度比半导体层的浓度高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在半导体层的表面分别设置在多个电极的各电极间，分别分离多个电极，多个电极包含作为驱动电流供给电极发挥功能的电极、和与驱动电流供给电极交替配置的作为霍尔电压输出电极发挥功能的电极，霍尔电压输出电极具有第1深度，驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。
- 霍尔器件及电子设备-201820288326.2
- 黄天迅;林晓阳;罗枭;赵巍胜;冷群文;温良恭 - 北京航空航天大学青岛研究院
- 2018-02-28 - 2018-09-07 - H01L43/04
- 本实用新型实施例提供了一种霍尔器件及电子设备。该霍尔器件包括：衬底；位于所述衬底上的有源区，所述有源区包括形成于所述衬底表面的石墨烯层和形成于所述石墨烯层上的氟化石墨烯层；以及，位于所述有源区外围，并与所述有源区接触的金属电极。本实用新型实施例能够避免制备工艺污染以及环境污染对石墨烯霍尔器件性能和稳定性的影响，以提高霍尔器件的灵敏度。
- 一种新型量子霍尔器件及其制备方法-201610552773.X
- 王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;谢晓明;江绵恒 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2016-07-14 - 2018-07-31 - H01L43/04
- 本发明提供一种新型量子霍尔器件及其制备方法，包括：1)提供一衬底，在所述衬底表面形成第一超导薄膜层；2)在所述第一超导薄膜层表面覆盖第一介电薄膜层；3)然后在所述第一介电薄膜层表面形成具有预设图形的石墨烯层或半导体薄膜层；4)在所述步骤3)形成的结构表面自下而上依次形成第二介电薄膜层和第二超导薄膜层；5)在所述衬底表面形成金属电极，所述金属电极与石墨烯层或半导体薄膜层接触。本发明基于二维材料和微电子加工工艺，在该器件中采用两层超导薄膜，利用超导材料对磁场的屏蔽特性，控制作用于器件的磁场大小，当超导薄膜较薄时，屏蔽部分外加磁场，剩余的磁力线形成周期磁场作用于超导薄膜，使其工作在正常态向超导态转变的区间，形成量子器件，在实现量子器件高速低功耗的同时，降低器件制备的技术难度。
- 霍尔器件及其制备方法与电子设备-201810167248.5
- 黄天迅;林晓阳;罗枭;赵巍胜;冷群文;温良恭 - 北京航空航天大学青岛研究院
- 2018-02-28 - 2018-07-10 - H01L43/04
- 本发明实施例提供了一种霍尔器件及其制备方法与电子设备。该霍尔器件包括：衬底；位于所述衬底上的有源区，所述有源区包括形成于所述衬底表面的石墨烯层和形成于所述石墨烯层上的氟化石墨烯层；以及，位于所述有源区外围，并与所述有源区接触的金属电极。本发明实施例能够避免制备工艺污染以及环境污染对石墨烯霍尔器件性能和稳定性的影响，以提高霍尔器件的灵敏度。
- 半导体装置-201711137740.X
- 飞冈孝明;海老原美香 - 艾普凌科有限公司
- 2017-11-16 - 2018-07-06 - H01L43/04
- 具有能够有效地除去偏置电压的纵型霍尔元件的半导体装置，具备：第2导电型的半导体层，设置在第1导电型的半导体衬底上；高浓度的第2导电型的多个电极，互相具有大致相同形状，且隔着第1间隔而在半导体层的表面沿着直线设置；多个电极分离层，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离，该多个电极分离层互相具有大致相同形状，且隔着第2间隔设置；以及第1及第2附加层，沿着位于两端的电极的外侧中的上述直线分别设置，具有与电极分离层大致相同的构造，第1附加层从与位于两端的电极的一个电极邻接的电极分离层隔着第2间隔而配置，第2附加层从与位于两端的电极的另一个电极邻接的电极分离层隔着第2间隔而配置。
- 一种操作手柄的霍尔组件密封结构-201721146913.X
- 郑加新;唐文普;陈君 - 广东宝莱特医用科技股份有限公司
- 2017-09-07 - 2018-04-17 - H01L43/04
- 本实用新型公开了一种操作手柄的霍尔组件密封结构，包括相互连接的底座与上盖，所述底座内活动设置有霍尔金属件，所述上盖的底面设置有容纳腔，所述底座与上盖扣合后，所述霍尔金属件位于容纳腔内，所述底座上还密封有霍尔开关板卡；霍尔金属件密封于上盖的容纳腔内，上盖与底座固定后霍尔金属件与外界隔绝，霍尔开关板卡密封在底座内，密封性能好，防止受潮，防止使用时液体对零件的侵蚀，延长了使用寿命。
- 具有集成磁体的模塑传感器封装及其制造方法-201510429242.7
- K.埃利安;M.H.H.莫德塔希尔;C.T.黄;戴秋婷 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-07-21 - 2018-02-23 - H01L43/04
- 本发明涉及具有集成磁体的模塑传感器封装及其制造方法。模塑传感器封装包括引线框架，具有附着到所述引线框架的传感器管芯；与传感器管芯对齐的磁体；以及包围传感器管芯并将磁体附着到该引线框架的单一模塑料。一种制造模塑传感器封装的方法包括加载磁体和引线框架到模塑工具中以便磁体在模塑工具中与传感器管芯对齐；当被加载在模塑工具中时用相同的模塑料模塑磁体和传感器管芯；并且固化模塑料以便磁体通过包围传感器管芯的相同的模塑料被附着到引线框架。
- 半导体装置及其制造方法、磁检测装置、以及电子罗盘-201610795404.3
- 石原祐子;瀬良和彦 - 旭化成微电子株式会社
- 2016-08-31 - 2018-02-02 - H01L43/04
- 提供一种具备磁性体的半导体装置及其制造方法、磁检测装置、以及电子罗盘。半导体装置具备基板；焊盘，其配置于基板上；磁性体，其配置于基板上；第一绝缘层，其配置于磁性体上；连接盘，其配置于第一绝缘层上；以及再配线层，其将焊盘与连接盘连接，其中，在俯视时磁性体的至少一部分与连接盘重叠。另外，半导体装置的制造方法包括以下步骤在上表面具有焊盘的基板的上方形成磁性体；在磁性体上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成重叠于磁性体的至少一部分的上方的连接盘，并且在第一绝缘层上从焊盘到连接盘形成再配线层；以及在连接盘上形成外部端子部。
- 一种电机用霍尔元件-201720648009.2
- 张波 - 张波
- 2017-06-06 - 2017-12-15 - H01L43/04
- 本实用新型提供了一种电机用霍尔元件，包括塑封体、位于塑封体中的芯片、若干个与芯片连接的引脚，所述引脚延伸出塑封体，至少一个引脚上设有突起部，所述突起部位于塑封体内，所述塑封体纵长为3.25mm‑9mm。通过将塑封体纵长设置为3.25mm‑9mm，从而一方面在塑封体内部为引脚留有空间设置突起部，提高了引脚的应力；另一方面防止引脚与电机上的铁芯接触或者距离太近导致漏电，提高了霍尔元件使用的安全性和电机绝缘的可靠性。
- 霍尔传感器以及镜头模块-201590001011.X
- 福中敏昭 - 旭化成微电子株式会社
- 2015-09-18 - 2017-10-13 - H01L43/04
- 本实用新型涉及一种薄型且小型的、磁特性的偏差少的霍尔传感器以及镜头模块。将形成有引线端子(21a至21d)的金属板配置在基材(30)上，将霍尔元件(10)配置在由引线端子包围的区域，利用导线将电极部(13a至13d)与引线端子电连接，利用密封构件将霍尔元件、导线以及引线端子的作为与导线连接的面的第二面(M2)密封，去除基材(30)，使引线端子的与第二面相反的一侧的第一面(M1)从密封构件露出，引线端子在第二面上且以载置霍尔元件的位置为中心的椭圆形或多边形的周缘上具有高度差(D)，在距载置霍尔元件的位置近的一侧具有第一部位(N1)，在距载置霍尔元件的位置远的一侧具有第二部位(N2)，该引线端子形成为到第一部位的第二面的高度低于到第二部位的第二面的高度。
- 一种电机用霍尔元件-201710418503.4
- 张波 - 张波
- 2017-06-06 - 2017-08-18 - H01L43/04
- 本发明提供了一种电机用霍尔元件，包括塑封体、位于塑封体中的芯片、若干个与芯片连接的引脚，所述引脚延伸出塑封体，至少一个引脚上设有突起部，所述突起部位于塑封体内，所述塑封体纵长为3.25mm‑9mm。通过将塑封体纵长设置为3.25mm‑9mm，从而一方面在塑封体内部为引脚留有空间设置突起部，提高了引脚的应力；另一方面防止引脚与电机上的铁芯接触或者距离太近导致漏电，提高了霍尔元件使用的安全性和电机绝缘的可靠性。
- 专利分类
