[发明专利]一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺在审
| 申请号： | 201810508350.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108831921A | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 宋锐;周健;候云娣 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺，芯片包括从上往下依次设置的N+型阴极区1、正面P型短基区、硅单晶片、背面P型区，芯片两端设置对通隔离扩散区，芯片正面表面设有SiO2保护膜，背面表面设有金属电极，芯片正面的正面P型短基区内设有正面沟槽，背面在对通隔离扩散区设有背面应力平衡槽，正面沟槽之间设有门极铝电极、阴极铝电极，正面P型短基区内阴极铝电极下方设有N+型阴极区，本发明利用镓扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取镓硼同扩工艺，即可获得较低的体内浓度、较低的电容，使击穿电压VBR与导通电压VBO极为接近，又可获得较高的表面浓度与短基区横向电阻，同时扩散时间较短，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离扩散区 晶闸管芯片 阴极铝电极 扩散工艺 台面结构 芯片正面 正面沟槽 制作工艺 阴极区 短基 背面 背面应力平衡槽 门极铝电极 背面P型区 导通电压 硅单晶片 横向电阻 击穿电压 金属电极 芯片两端 依次设置 电容 短基区 硼扩散 镓扩散 生产成本 体内 芯片 扩散 节约 | ||
【主权项】：
1.一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片，其特征在于：芯片包括从上往下依次设置的N+型阴极区、正面 P 型短基区、硅单晶片、背面 P 型区，芯片两端设置对通隔离扩散区，芯片正面表面设有SiO2 保护膜，背面表面设有金属电极，芯片正面的正面 P 型短基区内设有正面沟槽，背面在对通隔离扩散区设有背面应力平衡槽，所述正面沟槽内设有玻璃钝化膜，所述背面应力平衡槽内设有玻璃膜，所述正面沟槽之间设有门极铝电极、阴极铝电极，所述正面 P 型短基区内阴极铝电极下方设有N+ 型阴极区。
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- 2017-10-25 - 2018-06-22 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种高压平面闸流管器件，包括N型FZ硅片，N型FZ硅片的背面设有PWELL区，PWELL区的背面设有阳极电极，N型FZ硅片的四周环设有P型隔离区，N型FZ硅片的正面通过SIPOS膜对称设有玻璃钝化区，玻璃钝化区的正面设有聚酰亚胺保护膜，玻璃钝化区与N型FZ硅片之间设有分压环和截止环，N型FZ硅片的上部、位于玻璃钝化区内缘之间的部分设有短基区，短基区的上部设有NWELL区，NWELL区的正面设有阴极电极，短基区正面的一侧与钝化玻璃区之间设有门极电极。本实用新型采用穿通隔离、分压环、场板及多层钝化制作出高工作电压的平面闸流管器件，工艺简单，器件的高温漏电小，可靠性高，失效率更低。
- 一种带有安全稳定结构的可控硅元件-201721226096.9
- 龙立 - 广东瑞森半导体科技有限公司
- 2017-09-23 - 2018-04-13 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种带有安全稳定结构的可控硅元件，所述基座结构的下部箱体内腔中部通过支架悬空架设有小型的鼓气风扇，所述基座结构的下部箱体内腔两侧壁面均开设有出气孔洞，所述基座结构的内腔顶板还装设有散热片，所述基座结构的下部箱体内腔底板中部开设有进气格珊，所述进气格珊的外部放置有手动按压式的液体喷壶。利用基座表面的铝制板将可控硅的工作热量进行传导，同时散热片进行自体的散热工作，可拆卸式的鼓气风扇和液体喷壶的组合，能够进行进一步的风冷散热工作，提高装置的整体散热效率，避免高温导致元件的工作性能改变，使得可控硅的工作更稳定，安全效率更高，且散热结构件方便进行拆装。
- 一种具有沟道截止环的可控硅-201721251978.0
- 邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 - 安徽富芯微电子有限公司
- 2017-09-27 - 2018-04-13 - H01L29/74
- 本实用新型公开一种具有沟道截止环的可控硅，包括N型半导体基体，P型基区、P+型隔离扩散区、沟槽、N+型阴极区、沟道截止环以及金属电极；沟道截止环可以是P+型沟道截止环也可以是N+型沟道截止环。具有P+型沟道截止环的可控硅的制造步骤包括硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、短基区扩散、截止环光刻、截止环扩散、阴极光刻、磷扩散、沟槽光刻、沟槽腐蚀、沟槽钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化。本实用新型通过在门极和阴极间设置有一个沟道截止环，沟道截止环能阻止阴极和门极间的氧化层中的正电荷对可控硅触发电流产生的不利影响，提高了可控硅触发电流的稳定性，进而提高了可控硅使用的可靠性。
- 一种晶闸管元件管壳-201721062711.7
- 刘东;于新华 - 杭州西风半导体有限公司
- 2017-08-23 - 2018-04-06 - H01L29/74
- 本实用新型公开了一种晶闸管管壳，包括上管壳和下管壳，其特征在于，还包括设置于上管壳和下管壳之间的芯片组件，所述上官壳靠近芯片组件的一面设置有嵌入槽，所述嵌入槽内设置有门极组件，所述门极组件包括门极引线，所述门极引与芯片组件的芯片连接，所述嵌入槽为门极引线从管壳外部到达芯片提供了容纳空间，所述嵌入槽的长度与门极引线从管壳外部到达芯片连接点的路径一致。采用本实用新型，减小了门极引线损坏的几率，提高了管壳的产品性能。
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