[发明专利]一种用于太阳电池的增透减反薄膜的后处理方法在审
| 申请号： | 201810814335.5 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110828582A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 张德忠;王雪戈 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李莎 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于太阳电池的增透减反薄膜的后处理方法，其包括以下步骤：S1：将镀有增透减反薄膜的基底放入盐溶液中浸泡；S2：将浸泡过的基底高温煅烧。本发明的后处理方法对增透减反薄膜进行优化处理，优化薄膜结构，提高透过率，方法简单，具有普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳电池 增透减反 薄膜 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
