[发明专利]MEMS器件及其形成方法和形成叉指式电容电极结构的方法有效
| 申请号： | 201810845999.8 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109319729B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | S·普雷格尔;U·鲁道夫 | 申请（专利权）人： | 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;崔卿虎 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 形成 方法 叉指式 电容 电极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成微电子机械系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于所述单晶硅衬底的顶面的第一深度处形成腔体；在所述单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，所述电绝缘区域相对于所述单晶硅衬底的所述顶面延伸到小于所述第一深度的第二深度；以及蚀刻所述单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中在第一深度区域内所述第二电极与所述第一电极分开由所述电绝缘区域和所述间隙限定的第一距离，以及其中在第二深度区域内所述第二电极与所述第一电极分开由所述间隙限定的第二距离。
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