[发明专利]一种ZnO-C-MoS2双壳电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811487878.7 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109727778B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王育乔;李长盼;卢明龙;周天悦;张春耀;孙岳明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;H01G9/048 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种ZnO‑C‑MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 zno mos2 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO‑C‑MoS2双壳电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：。1)碳包覆氧化锌纳米棒阵列的制备：先在掺氟导电玻璃上制备氧化锌纳米种子层，再通过水热法在锌离子溶液中反应获得有序氧化锌纳米棒阵列，再对其进行热处理法的包碳处理，获得碳包覆氧化锌纳米棒阵列；2)ZnO‑C‑MoS2双壳电极的制备：采用化学气相沉积法在管式气氛炉中对已制备的碳包覆氧化锌纳米棒阵列样品进行硫化处理，得到具有多孔结构的ZnO‑C‑MoS2双壳电极。
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