[发明专利]图案计算装置、图案计算方法、掩模、曝光装置、元件制造方法、计算机程序和记录媒体在审
| 申请号： | 201880022622.0 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110476121A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 加藤正纪;户口学 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张琳<国际申请>=PCT/JP20 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 图案计算装置(2)计算形成于掩模(131)上的掩模图案(1311d)，所述掩模(131)用于利用曝光用光(EL)在基板(151)上形成将单位元件图案部(1511u)排列多个而成的元件图案。图案计算装置计算用以形成一个单位元件图案部的单位掩模图案部(1311u)，且通过将所计算出的单位掩模图案部排列多个而计算掩模图案，在计算单位掩模图案部时，假定相当于单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部(1311n)邻接于单位掩模图案部，在此基础上计算单位掩模图案部。 | ||
| 搜索关键词： | 图案部 单位掩模 单位元件 图案计算 掩模 掩模图案部 计算掩模 曝光用光 掩模图案 元件图案 邻接 基板 图案 | ||
【主权项】：
1.一种图案计算装置，计算形成于掩模上的掩模图案，所述掩模是用于利用曝光用光在基板上形成将单位元件图案部排列多个而成的元件图案，并且所述图案计算装置的特征在于：/n计算所述掩模图案中用以将一个所述单位元件图案部形成于所述基板上的单位掩模图案部，且通过将计算出的所述单位掩模图案部排列多个而计算所述掩模图案，/n在计算所述单位掩模图案部时，假定相当于所述单位掩模图案部的至少一部分的特定掩模图案部邻接于所述单位掩模图案部，在此基础上计算所述单位掩模图案部。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社尼康，未经株式会社尼康许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880022622.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
