[发明专利]抗老化装置在审
| 申请号： | 201880043078.8 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110800214A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | K·恩斯;D·内达尔格;V·德什潘德;L·海斯;A·K·斯里瓦斯塔瓦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;岳磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种装置，该装置包括：相同导电类型的晶体管的堆叠，该堆叠包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管串联耦合并具有公共节点；和相同导电类型的反馈晶体管，耦合到该公共节点和该堆叠中的第一晶体管的栅极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 堆叠 导电类型 公共节点 反馈晶体管 晶体管串联 栅极端子 耦合到 合并 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n相同导电类型的晶体管的堆叠，所述堆叠包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管串联耦合并具有公共节点；和/n相同导电类型的反馈晶体管，耦合到所述公共节点和所述堆叠中的第一晶体管的栅极端子。/n
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