[发明专利]存储器阵列和形成存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 201880074677.6 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111373539A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 金昌汉 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包括一种具有用于传导电流的沟道的组件。沟道包括第一沟道部分和第二沟道部分。第一存储器单元结构在第一栅极和第一沟道部分之间。第一存储器单元结构包括第一电荷存储区域和第一电荷阻挡区域。第二存储器单元结构在第二栅极和第二沟道部分之间。第二存储器单元结构包括第二电荷存储区域和第二电荷阻挡区域。第一和第二电荷阻挡区域包括氮氧化硅。空隙位于第一和第二栅极之间以及第一和第二存储器单元结构之间。一些实施例包括存储器阵列(例如，NAND存储器阵列)，并且一些实施例包括形成存储器阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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